供应HT1104 高温四重组装*输入偏置电流运算放大器

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HT1104 高温四重组装*输入偏置电流运算放大器
额定温度:-55℃至+255℃
单流或分流运算
共模输入电压范围包括电源负限
低输入偏置与补偿参数
输入/输出过载保护
高输入阻*和*偏置电流
电介质分离的无闭锁设计
密封14引线陶瓷DIP

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HT1204 高温四重组模拟开关
额定温度:-55℃到+225℃
225℃时*大渗漏为500nA
低控制输入电流
线性度高
开关之间串扰低
密封14引线陶瓷DIP
电介质分离的无闭锁设计
单个开关控制
CMOS逻辑电平
 

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HT506/HT507 高温模拟多路复用器 16通道单/8通道双
额定温度范围-55℃到+225℃
先断后合开关
无闭锁
I225℃时电阻400
I225℃时8通道漏电1.2A
分离或单一供电性能
 

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HTANFET 高温N沟道电源场效应晶体管
额定温度:-55℃至+225℃
持续输出电流可达1Amp
典型输入电压可达90V
*缘层上覆硅(SOI)
4引脚电源带式封装或
带整体散热器的8引脚陶瓷Dip

数据表单 169k


 
HTPLREG 高温正线性稳压器
额定温度范围: -55℃至+225℃
输出电流可达300mA
校准+15,+10和+5V输出
输入电压可达-28V
静态电流3.0mA
电流*限和短路保护
密封4-引脚封装

数据表单 94k


 
HTCCG 高温晶体时钟发生器
额定温度:-55℃至+225℃
与CMOS/TTL 相匹配
输出频率24KHz-20MHz
被2,4,8 分开
单5V 供电电源
密封14引脚陶瓷DIP
与外部晶体接口

数据表单 148k


 
HT6256 高温静态存储器
额定温度:-55℃至+225℃
用THMOSTM IV*缘层上覆硅生产
读取/写入循环时间 50ns支持20MHz时钟
异步操作
输入/输出缓冲器
单5V 10%供电电源
密封28引线陶瓷DIP

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HT83C51 高温83C51微控制器
IHTMOS额定温度:-55℃至+225℃
优化8-bit CPU用于5V控制用途
四个8-bit双向平行端口
三个带有一个递增/递减定时器/计数器和时钟输出的16-bit定时器/计数器
可编程计数器阵列
带有七个源*和四个优先级的中断结构
半双方的可编程串行端口带有~成帧误差检测~自动地址识别 I64k外部程序存储器地址空间

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RF无线传感器 应用指南


 
RF开关Switch各型号比较表
 
RF开关 注释 *损耗 (dB) 隔离 (dB) 1dB压缩 (dBm) IIP3 (dBm) 封装 RoHS *合否?
HRF-SW1000 SPDT吸力RF开关 0-4GHz 0.9 55 17 35 12pin 3x3 mm QFN Yes
HRF-SW1001 SPDT吸力RF开关 0-2.5GHz 0.8 55 15 33 12pin 3x3 mm QFN No
HRF-SW1020 SP4T吸力RF开关 0-2.5GHz 1.6 54 17 35 20pin 4x4 mm QFN Yes
HRF-SW1021 SPDT吸力RF开关 0-4GHz 1.1 54 15 33 20pin 4x4 mm QFN No
HRF-SW1030 SP6T吸力RF开关 0-2.5GHz 1.6 50 16 33 20pin 4x4 mm QFN Yes
HRF-SW1031 SP6T吸力RF开关 0-2.5GHz 1.2 50 14 31 20pin 4x4 mm QFN Yes
注释:*损耗和隔离度是在0.5GHz的测试条件下


RF衰减器Attenuator各型号比较表
 
RF衰减器 注释 *损耗 (dB) 1dB压缩 (dBm) IIP3 (dBm) 步幅 封装 RoHS *合否?
HRF-AT4510 15.5dB, 0-4 GHz, 5Bit 并行数字衰减器 1.6 20 36 0.5 24pin 4x4 mm QFN No
HRF-AT4511 15.5dB, 0-4 GHz, 5Bit 串行数字衰减器 1.7 20 36 0.5 16pin 4x4 mm QFN Yes
HRF-AT4520 31dB, 0-4 GHz, 5Bit 并行数字衰减器 2.5 24 38 1.0 24pin 4x4 mm QFN Yes
HRF-AT4521 31dB, 0-2.5 GHz, 5Bit 串行数字衰减器 2 22 36 1.0 16pin 4x4 mm QFN Yes
HRF-AT4610 31.5dB, 0-4 GHz, 6Bit 并行数字衰减器 2.5 24 38 0.5 24pin 4x4 mm QFN Yes
HRF-AT4611 31.5dB, 0-4 GHz, 6Bit 串行数字衰减器 2.5 24 38 0.5 16pin 4x4 mm QFN Yes
注释:*损耗是在1.0GHz的测试条件下

RRF衰减器与开关的应用说明
 
  1. 1. AN307 RF无线开关系列
  2. 2. AN310 无铅 QFN 表面贴装应用
  3. 3. AN311 RF衰减器和开关的AC 耦合
  4. 4. AN312 RF衰减器系列
型号/规格

HT1104 高温四重组装*输入偏置电流运算放大器

品牌/商标

HT1104 高温四重组装*输入偏置电流运算放大器