NPN型三重扩散硅晶体管2SC5200

主要应用

2SC5200主要应用与一般电子和精密电子两大领域。一般电子运用包括计算机、办公设备、检测设备、工业机器人、家用电器等。精密电子应用涉及原子能控制仪表、太空船仪器、飞机、交通信号控制仪器仪表、医疗器械及其它各类安全装置。

基本参数2SC5200

最大功率：150W

安装类型：通孔

最小直流电流增益 (hFE) ：80 @ 1A, 5V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 800mA, 8A

晶体管类型：NPN

转换频率：30MHz

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：230V

集电极电流：15A

应用范围：放大

功率特性：中功率

频率特性：中频

极性：NPN型

结构：点接触型

材料：硅(Si)

制造商: Toshiba

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS: 详细信息

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-3P-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 230 V

集电极—基极电压 VCBO: 230 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—射极饱和电压: 0.4 V

最大直流电集电极电流: 15 A

增益带宽产品fT: 30 MHz

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: 2SC5200

直流电流增益 hFE 最大值: 160

商标: Toshiba

集电极连续电流: 15 A

直流集电极/Base Gain hfe Min: 35

Pd-功率耗散: 150 W

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 2SC5200

工厂包装数量: 25

子类别: Transistors

单位重量: 7 g

型号/规格

2SC5200

品牌/商标

TOSHIBA

封装

TO-3PL

包装

管装

直流电集电极电流

15 A

供应NPN型三重扩散硅晶体管2SC5200

主要应用

基本参数2SC5200