供应热释电红外传感器:LHI778 LHI878

地区:广东 深圳
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深圳市微芯传感科技有限公司

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光电子元器件和组件:红外发射管、红外接收管、光电开关、光敏管、发光二*管和发光二*管组件、半导体激光二*管和激光器组件、光电探测器和光接收组件、光发射接收模块、光纤激光器和光放大器、光调制器、光开关、DWDM用光发射和接收器件、用户接入系统光光收发器件与模块、光纤连接器、光纤跳线/尾纤、光衰减器、光纤适配器、光隔离器、光耦合器、光环行器、*用器/转换器;大功率*发射管、光电开关(工业级)、环境亮度光传感器、颜色传感器、PSD位置传感器、紫蓝/红外硅光电池、*接收头、红外光电接收二*管、红外光敏接收三*管、对射式光电传感器、反射式光电传感器、*发射管、红外光电IC、人体热释能传感器、红外数*输器、光电耦合器、UV紫外发光二*管、直插/贴片式发光二*管、 大功率发光二*管、光纤传感器 、CATV光传输产品 、光纤通信产品 、光电激光类产品

     
 

光电器件传感器
紫外线传感器
颜色传感器                亮度传感器
热释电红外传感器
光敏电阻
                  光敏传感器
VTL5C系列模拟光隔离器
光电晶体管
*端窗式光电*管以及模块
单光子计数模块
NDIR红外气体传感器
红外温度传感器
红外光源
CCD图像传感器;线阵CCD相机
激光器件;大功率红外发射管
*PN、PIN、APD等光电探测器
X射线探测器

 
用于火焰检测的紫外线传感器
  三频红外火焰探测器
用于光强检测的紫外线传感器
EPL晶圆
UV裸片
UV-A传感器
UV-B传感器
UV-C传感器
SYP-UVT46A/SYP-UVT46B
UV模块
型号编码系统
选择指南
封装尺寸
UV传感器应用
UV指数监察
光源监察
火焰监察
UV吸收光譜
UV物质微调
 UV辐射
UV指数
应用电路
 
 
红外光电系列
        红外发射管
        红外接收管
        红外接收头
        光敏三*管
        光电传感IC
        硅光电池管
        太阳能电池
        镭射激光管
        发光二*管
传感器件系列
        凹槽型开关
        反射式开关
        红外数据头
        霍尔传感器
        光纤传感器
        人体传感器
        声波传感器
        气体传感器
        温湿传感器
        颜色传感器
        压力传感器
        菲涅尔透镜
        接近传感器
        微波感应器
高频元件系列
        双栅场效应管
        高频微波管
集成IC系列
        红外数据IC
        红外遥控IC
        蓝牙通讯IC
        图像传感器
光鼠球鼠对管IC
摄像数字影像IC
手机周设/手机IC
光电藕合器IC
光管/激光IC
光电开关
反射接近开关
红外接收管
红外发射管
红外接收头
光敏接收管
发光管/数码管
光纤接收/发射头
闪光管
放电管
硅光电池
紫外线传感器
热释传感器/菲透镜 
*声波传感
霍尔元件干簧管/磁传感器 
数*输器
热电堆/红外测温计
光敏电阻
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Perkinelmer Excelitas传感器
热释电红外传感器:LHI778 LHI878 LHI968 LHI958 LHI874 LHI1148 LHI548 LHI908 LHI548 LHI906 LHI1128 LHI807 LHI944 PYD1096 PYD1388 PYD1398 PYD5131 PYD5731 PYQ1098 PYQ1398 PYQ1488 PYQ2898 PYQ5868 PYS3228 PYS3428 PYS3798 PYS3828 PYS4198
紫外线传感器:VTB5051UVVTB6061UVPYS3228TC/G2 PYS3228TC-G5/G20 UV10T2E10F JEC0.1 UV10SFUV10SUTB5051 UTB5051B UV10T2E10F UV10T2E10L
光电传感器:TP-IRL715
热电堆红外测温传感器:TPS333 TPS334 TPS434 TPS534 TPS535TPD1T0226IRA/3136 TPS336IRA/3136 TPD1T0216L5.5/3238 TPD1T0222/3500 TPS332/3500 TPD1T0122/3214 TPS232/3214 TPiD23B TPS23B TPD1T0224 TPD1T0214/3161 TPS334/3161 TPD1T1254 TPD1T252OTP538U OTP537F2 J11F5.5 K1C1F5.5 TS118-3
日本尼赛拉传感器:
热释电红外传感器: KP500B KP506B RE200B RE03B RE46B RE431B KB632-P D203S D203B KB632
红外处理IC: BISS0001 LP8072 CSC9803 LM324 LP0001
   
产品名称: 紫外线传感器
产品规格: UV10SF、UV10T2E10F
产品介绍:
    公司提供的紫外探测器能很好的探测
200nm-400nm光谱范围的紫外线辐射,并产生光电流。但对这个光谱区域以外的紫外线辐射不敏感,例如可见太阳光以及室内照明光源。它的高灵敏度,宽响应光谱范围,密封封装,小尺寸,*格,宽工作温度范围以及能长期暴露在紫外光辐射的特性很适合工业和消费类紫外线探测应用。
一、特点:
·高灵敏度,140mA/W峰值
·低温度系数
·TO-5,TO-18,TO-46微小标准封装,光敏面尺寸有0.25x0.25 mm,0.5 x 0.5 mm (NEW),1x1 mm和2x2mm,14.8mm2,37.7mm2,*大可达100mm2光敏面积
·各种滤波器窗口可选,能提供具有UV-A、UV-B、UV-C和 UV-BC(包括B&C波段)滤波器的标准产品
·*辐射类型,在*度紫外辐射条件下,具备长期稳定性
·带透镜类型,具有*高的灵敏度,*适合低强度紫外光探测
·带前置放大器类型
·*高温
二、典型应用:

·紫外火焰监测以及燃烧控制
·太阳紫外线辐射测量
·在水处理以及表面*应用中,紫外光源的控制
·紫外线固化应用时的光源控制
·紫外线净化,紫外线*,食品*控制
·紫外线激光器控制
·紫外分光镜
·电弧探测
三、产品分类介绍:
1、 UV系列标准紫外线传感器,只包含对紫外线敏感的光电管,它的输出信号是同紫外线强度相对应的光电流,210-380nm,峰值响应140mA/W@280nm

型号:UV10SFUV10S应用
另外可以提供这种类型的0.08mm2、0.32mm2、1mm2光敏面积的PDU-S系列紫外探测器
2、UV系列内置放大器型紫外线传感器:UV10T2E10x 系列探测器包含一个内置放大器,它的输出是同紫外线强度相对应的电压值,210-380nm,响应灵敏度UV10T2E10F 4V/nW,UV10T2E10L 1V/nW
型号:UV10T2E10F,有各种封装和标准滤波窗口(>210nm)可选,其他的标准波长是 (210nm-380nm),A0(310nm-390nm),A1(290nm-390nm),A2(280nm-390nm),C1(210nm-300nm)
3、紫外增强型光电管,提供从0.31mm2以上,直到100mm2光敏面积的光电探测器,理想应用于验钞机以及大面积紫外线探测。
型号:VTB5051UV,14.8mm2光敏面积紫外传感器,VTB6061UV,37.7mm2光敏面积紫外传感器
另外,我们还提供0.31mm2、0.87mm2、2.03mm2、2.98mmm2、4.48mm2、10mm2、17.74mm2、
31mm2、42.86mm2、100mm2的*光敏面积的紫外传感器,如果感兴趣,请联系!4、我们还提供*应用的紫外传感器:UVA紫外光电管:在360nm以下,对紫外线具有一致的高量子效率的探测器(360nm以下,典型响应灵敏度150mA/W);UVB紫外光电管:专门应用于280nm-320nm,探测太阳紫外线强度的探测器(300nm以下,典型响应灵敏度30mA/W);UVC紫外光电管:专门应用于280nm以下,不受太阳紫外线辐射干扰的紫外线探测器(280nm以下,典型响应灵敏度20mA/W)如有兴趣,请联系!

  火焰传感器/紫外线传感器/紫外线光敏管/紫外传感器/火焰探测器

 

日本滨松

UV-R2868

C3704

紫外光敏(电)管  

SSD-601 UV紫外线传感器

 
SSD-601 紫外线传感器 (插件式) .     简介SSD-601 紫外线传感器是一种P-N异质节光电二*管,是基于氮化镓宽禁带半导体材料制备而成的。氮化镓禁带宽度约为3.4电子伏,它不吸收可见光。该类传感器具有很强的可见光*干扰特性,在检测紫外线时不需附加滤光片来抑制可见光。其检测紫外线的主要响应区域覆盖了长波紫外线 (UVA, 波段范围420 nm-320 nm) 和中波紫外线 (UVB, 波段范围 320 nm-275 nm ) 的波段范围。 
2.     用途:
a.       测试太阳光中的紫外线强度 (礼品、化妆品用具);
b.       紫外线灯管的紫外线发生强度测试 (*器械或民用 *碗柜的*效率检验); 
3.     特点:
a.       对紫外线检测灵敏度高;
b.       感应重复性高;
c.       *可见光干扰强;
d.       体积微小;
e.       寿命长;
4.     适用人士:长期从事户外工作的*工程师、爱好旅游的人士、注重皮肤*的女性以及需要携同出行的婴幼儿; 
5.     传感器参数

参数

*号

条件

*小值

中心值

*大值

单位

光谱带宽变化范围

lb

290

400

nm

峰值灵敏度波长

lp

330

nm

暗光输出电压

Vdark

光强= 100 mW/m2

lp= 330 nm

0

2

mV

灵敏度

Vs

   RL=1MΩ

3.9

4.0

4.1

mV/UVI

反向击穿电压

VBR

30

40

100

V

正向电压

VF

If=10mA

2.6

3.0

3.5

V

总电容

Ct

f=1MHz

6

pF

上升时间

tr

RL=1MΩ
CL=1000pF

10

mS

下降时间

tf

500

mS


SSD-602 紫外线传感器
SSD-602 紫外线传感器 (贴片式) 
1.     简介
SSD-602 紫外线传感器是一种P-N异质节光电二*管,是基于氮化镓宽禁带半导体材料制备而成的。氮化镓的禁带宽度约为3.4电子伏,它不吸收可见光。该类传感器具有很强的可见光*干扰特性,在检测紫外线时不需附加滤光片来抑制可见光。其检测紫外线的主要响应区域覆盖了长波紫外线 (UVA, 波段范围420 nm-320 nm) 和中波紫外线 (UVB, 波段范围 320 nm-275 nm ) 的波段范围。 
2.     用途:
a.       测试太阳光中的紫外线强度 (礼品、化妆品用具);
b.       紫外线灯管的紫外线发生强度测试 (*器械或民用 *碗柜的*效率检验); 
3.     特点:
a.       对紫外线检测灵敏度高;
b.       感应重复性高;
c.       *可见光干扰强;
d.       体积微小;
e.       寿命长;
4.     适用人士:长期从事户外工作的*工程师、爱好旅游的人士、注重皮肤*的女性以及需要携同出行的婴幼儿; 
5.     传感器参数 

参数

*号

条件

*小值

中心值

*大值

单位

光谱带宽变化范围

lb

290

400

nm

峰值灵敏度波长

lp

330

nm

暗光输出电压

Vdark

光强= 100 mW/m2

lp= 330 nm

0

2

mV

灵敏度

Vs

   RL=1MΩ

3.9

4.0

4.1

mV/UVI

反向击穿电压

VBR

30

40

100

V

正向电压

VF

If=10mA

2.6

3.0

3.5

V

总电容

Ct

f=1MHz

6

pF

上升时间

tr

RL=1MΩ
CL=1000pF

10

mS

下降时间

tf

500

mS


 
 

UV Photodiodes GaN

UV-photodiodes based on GaN are intrinsic visible blind due to high bandgap material, extreme irradiation hardness

Spectral range Chip size Package Note  
  GUVA-S10GD 200 - 370 nm 0.16 mm² SMD 3528 Si window  
  GUVB-S11GD 200 - 320 nm 0.16 mm² SMD 3528 Si window  
  GUVA-T11GD 200 - 370 nm 0.16 mm² TO-46 quartz window  
  GUVB-T11GD 200 - 320 nm 0.16 mm² TO-46 quartz window  
  GUVA-S12GD 240 - 370 nm 0.16 mm² SMD 3528 silicon window  
  GUVA-S22ED 290 - 370 nm 0.16 mm² SMD 1608 silicon/epoxy window  
  GUVC-T10GD 200 - 290 nm 0.16 mm² TO-46 quartz window  

UV Sensor Modules GaN

UV Sensor Modules based on GaN

Spectral range Size Note Data sheet
  GUVA-S22EM-3 290 - 370 nm 8 x 8 x 2 mm³ *all size request
  GUVA-T11GM-LA 220 - 370 nm 28 x 17 x 9 mm² basic request
  GUVA-T11GM-2 220 - 370 nm 36 x 22 x 7 mm² adjustable gain request
 

UV Photodiodes AlGaN

UV photodiodes based on AlGaN

  Spectral range Chip size Package Note  
  GaN-UVA-SMD 220 - 370 nm 0.076 mm² SMD 3228 peak at 350 nm  
  AlGaN-UVB 225 - 317 nm 0.076 mm² TO-18 peak at 300 nm  

UV Photodiodes SIC

UV-photodiodes based on SiC (Silicon Carbide) are intrinsic visible blind due to high bandgap material, extreme irradiation hardness, versions with integrated UVA, UCB or UVC filters on request

  Spectral range Active Area Package Note  
  SIC01S 210 - 380 nm 0.054 mm² TO-18 peak at 285 nm  
  SIC01S-C 230 - 285 nm 0.054 mm² TO-39 peak at 270 nm  
  SIC01S-HAT 210 - 380 nm 0.054 mm² TO-18 peak at 285 nm  
  SIC01S-ISO 210 - 380 nm 0.054 mm² TO-18 pins are isolated  
  SIC01M 220 - 360 nm 0.22 mm² TO-18 peak at 280 nm  
  SIC01M-C 230 - 285 nm 0.22 mm² TO-39 peak at 270 nm  
  SIC01M-LENS 220 - 360 nm 0.22 mm² TO-39 flame detection  
  SIC01L-5 220 - 360 nm 0,96 mm² TO-5 peak at 280 nm  
  SIC01L-18 220 - 360 nm 0,96 mm² TO-18 peak at 280 nm  
  SIC01L-5-C 230 - 285 nm 0,96 mm² TO-39 peak at 270 nm  
  SIC02S 210 - 380 nm 0.054 mm² stainless steel V2A peak at 285 nm  
  ERYF-STAR     TO-18 erythema sensor, for accurate sun-UV dosimetry  

UV Photodiodes SIC - large area arrays

UV photodiode array based on 4 parallel SiC detector chips for ultra low level UV radiation sensitivity, active area: 3.84 mm², peak response at 280 nm

  Spectral range Chip size Package Note  
  SIC01L4-5 210 - 380 nm 3.84 mm² TO-5 peak at 285 nm, Id 20 fA, 800 pF  
  SIC01L4-5-C 230 - 285 nm 3.84 mm² TO-5 peak at 270 nm, Id 20 fA, 800 pF  

UV Photodiodes SIC with TIA

UV photodiode based on SiC with integrated transimpedance amplifier for ultra low level UV radiation detection, peak response at 280 nm

  Spectral range Package Note  
  UV-TIAMO-BL 210 - 380 nm TO-5 sensitivity 0.5V/nW, gl* lens  

UV Photodiodes GaP

UV photodiodes based on GaP

  Spectral range Active Area Package Note  
  EPD-150-0/2.5 130 - 550 nm 4.8 mm² TO-39 sapphire window  
  EPD-150-0/3.6 130 - 550 nm 10.9 mm² TO-39 sapphire window  
  EPD-440-0/0.9 190 - 550 nm 0.51 mm² TO-46    
  EPD-440-0/1.4 190 - 550 nm 1.2 mm² TO-46    
  EPD-440-0/2.5 190 - 550 nm 4.8 mm² TO-39    
  EPD-440-0/3.6 190 - 550 nm 10.9 mm² TO-39    
  EPD-280-0-0.3-1 220 - 380 nm 0.056 mm² TO-46    
  EPD-270-0-0.3-2 230 - 285 nm 0.056 mm² TO-39    
  EPD-365-0/0.9 245 - 405 nm 0.51 mm² TO-46 UG11 filter  
  EPD-365-0/1.4 245 - 405 nm 1.2 mm² TO-46 UG11 filter  
  EPD-365-0/2.5 245 - 405 nm 4.8 mm² TO-39 UG11 filter  
  EPD-365-0/3.6 245 - 405 nm 10.9 mm² TO-39 UG11 filter  
  EPD-310-0-0.3-2 290 - 330 nm 0.056 mm² TO-39    
  EPD-360-0-0.3-2 230 - 400 nm 0.056 mm² TO-39    

UV Photodiodes TiO2

UV photodiodes based on thin film TiO2 sensor technology

  Spectral range Package Note  
  UVD39 225 - 380 nm TO-39 peak at 300 nm, intrinsic visible blind  
  EryF 215 - 325 nm TO-18 peak at 300 nm, intrinsic visible blind, erythema sensor DIN5050  
  TW30SX 215 - 387 nm TO-18 peak at 300 nm, UV AB, intrinsic visible blind  
  TW30SY 215 - 387 nm TO-39 peak at 300 nm, intrinsic visible blind  
  TW30DZ 253 - 361 nm TO-46 peak at 300 nm, intrinsic visible blind  
  TW30DY 253 - 361 nm TO-39 peak at 300 nm, intrinsic visible blind  
  TW30DY2 260 - 362 nm TO-39 peak at 300 nm, UV AB, intrinsic visible blind  
  UV-sensor chip die 4.4 mm²     thin film sensor  
  UV-sensor chip die 15.66 mm²     thin film sensor  
MOQ: 1 piece
Roithner Lasertechnik GmbH, Wiedner Hauptstraße 76, A-1040 Vienna, Austria, Tel.: ++43 1 586 52 43 - 0, Fax ++43 1 586 52 43 - 44

 

 

 

型号/规格

热释电红外传感器:LHI778 LHI878

品牌/商标

HONEYWELL(霍尼韦尔)