供应民用射频器件和模块MRF898
地区：广东 深圳
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无
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产品属性
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产品名称: InGaAs线阵ccd图像传感器（0.9um-1.7um)
产品规格: XLIN系列
产品介绍: 商斯达公司提供的XLIN系列0.9um-1.7um , 128、256以及512像数, InGaAs近红外行扫描图像传感器阵列，特别适合近红外光谱以及行扫描成像应用。
这种线阵图像传感器由一个InGaAs光电管阵列连接到一个负荷放大多路复用器，密封陶瓷封装。这种器件装备了一个新颖的第三代多路复用器，近一步减少了暗电流。
一、特点：
• 0.9 – 1.7um 响应光谱范围；
• 最大2.5 MHz的数据读出率；
• 很高的探测灵敏度；
• 宽动态范围；
• 低噪声和低暗电流；
• 优秀的一致性；
• 高线性；
• 内置热电制冷器；
• 内置温度传感器；
• 低串扰；
• 可选综合电容器 0.1 和16 pF；
• 完全电流校准输入；
二、典型应用：
• 近红外光谱；
• 光谱特征描述；
• 热目标成像（350°C to 800°C)；
• 在线过程控制；
• 非破坏性检查；
• 食品检查；
• 农业监控；
• 水汽测量；
• 生物医学和化学应用；
• 污染和环境监控；
• 半导体生产过程监控；
产品名称: Cooled-CCD面阵图像传感器(400-1100nm）
产品规格: RA1133J
产品介绍: 商斯达公司提供的图像传感器RA1133J是一个全画面CCD传感器。它的带复位能力的设计，特别适合光谱学、生物医学成像以及相关的科学成像应用。它的带两级完整的热电冷却器的阵列封装设计，使器件能在低于环境温度40℃时工作，和室温比较时，在－15℃。它的非常低的噪声和低的暗电流结合起来，理想用于低光强，高动态范围和高分辨率应用。两相时钟用于驱动读出寄存器，三相时钟用于驱动成像单元。这个阵列30-pin金属封装，带一个完整的TE冷却器.在器件的Si-SiO2接口表面产生的一个主要的暗电流源。一个独特的设计和处理允许RA1133J运行在多相或者MPP操作模式，它帮助消除接口表面暗电流的产生。通过保持垂直时钟在负的电压，在综合和水平信号读出期间,表面将不耗尽，将不产生暗电流。
一、特点：
·363000像素在一个1100X330结构
·24umX24um像素尺寸
·两相掩藏通道处理
·片内放大器，低噪声，高速输出
·动态范围高于25000：1
·片内温度传感器
·两级TE冷却器封装
·密封封装
·100%填充因子
·10MHZ数据率
二、典型应用：
·分光镜
·荧光显微镜
·发光体检测
·蛋白质量化
产品名称: 行扫描CCD图像传感器(250nm-1000nm)
产品规格: RL1024P、RL2048P
产品介绍: 商斯达公司提供的P系列行扫描图像传感器，理想地应用于输送带上运动目标的成像。应用范围从引线框和标签检查到邮件包裹扫描。P系列行扫描传感结合了高灵敏光电阵列探测和高速扫描的特点，提供了一个先进的图像应用解决方案。这些高品质的图像传感器具有低噪声，高灵敏度，优异的负荷存储容量，以及高速动态图像的单一输出结构。在这些图像传感器里的14um2像素的再生图像，具有的信息丢失，以及人为信号的产生，他们的独特光电结构提供了卓越的蓝光响应特性，甚至延伸到紫外的250nm以下。
两相CCD读出寄存器只要求适度的时钟电压，仍然达到卓越的电荷转移效应。附加的电极提供提供独立的曝光控制，最后高灵敏读出放大器提供一个大信号输出，以缓和照相机电路的噪声要求。这些行扫描图像传感器提供宽选择范围的窗口材料（如带低价格玻璃或者紫外增强硅窗口），速度，像素值（有512到2048单元阵列长度）。我们也可以提供直到8192像素的行扫描传感器，包含4个输出，7um或者14um像素尺寸。
一、特点：
·2500：1动态范围
·超低图像滞后
·电子曝光控制
·清晰度控制
·正方形像素具有100％占空因素
·扩展光谱范围：250nm-1000nm
二、典型应用：
·光学字符识别
·输送带物品检查
·邮件分拣
·产品尺寸测量
·位置传感器
·分光镜
三、产品分类介绍：
1、P系列14um,单输出，512，1024，2048单元行扫描光电二极管阵列图像传感器（RL0512P、RL1024P、RL2048P）
2、P系列行扫描图像传感器时钟驱动应用
产品名称: CMOS光电管阵列图像传感器(300nm-1000nm)
产品规格: RL1201、RL1202、RL1205、RL1210、RL1501、RL1502、RL1505
产品介绍: 商斯达公司提供的L-系列CMOS自扫描光电二极管阵列光谱传感器在300-1000nm范围的光谱法和比色法应用中，提供了一个高质量，低价格的解决方案。L-系列光谱传感器产品的高灵敏度,低暗电流,低开关噪声以及高饱和电荷的综合特点提供了卓越的动态范围和安装综合时间的灵活性。每个L-系列光谱传感器包含一个线性硅光电二极管阵列，每个连接到一个MOS开关，通过一个集成的移位寄存器扫描电路来进行读出控制。在外部时钟的控制下，移位寄存器从而能指示相关光电二极管上的电荷到一根输出线。一个虚拟输出提供时钟噪声消噪。L-系列光谱传感器器件是陶瓷边焊双排引线封装，光滑熔融石英窗口，与我们早期的SB系列和TB系列传感器，引脚兼容。
L-系列光谱传感器有25um和50um像元尺寸，128到1024像元长度。所有的模块有2500um的像元孔径，简化光谱分析仪器。最近三十年，我们已经成为开发光谱传感器的领导者。在光谱学和其它仪器应用中，大的像素，非常高的电荷存储能力，低读出噪声和低暗电流，以及直接存取电荷包（固体摄象器件中）都是提供高动态范围和线性响应要求的临界条件。CMOS光电二极管阵列结构适合所有的这些要求，没有其它的传感器技术能相比。
一、特点：
·2.5um光电二极管孔径
·极低的暗电流
·低功率损耗
·时钟控制的连续读出率直到1MHZ
·单电源操作，HCMOS兼容输入
·单移位寄存器设计
·宽动态范围
·差分视频输出，时钟噪声消噪
·高饱和电荷10pC(25um)或者20Pc(50um)
·为低色度亮度干扰的清晰功能
·为所有光电二极管同时复位的线复位模式
·宽光谱响应范围：300nm到1000nm
·光滑熔融石英窗口
·片上二极管，温度监控器
二、典型应用：
·光谱测量
·色度测量
三、产品介绍：
1、L系列128，256，512或者1024单元光电二极管阵列传感器，25um中心像元尺寸
型号：RL1201LGQ-711、RL1202LGQ-711、RL1205LGQ-711、RL1210LGQ-711
2、L系列128，256或者512单元光电二极管阵列，50um中心像元尺寸
型号：RL1501LFQ-711、RL1502LFQ-711、RL1505LFQ-711
3、我们同时提供其它200nm-1000nm的光电管阵列，如果需要相关资料，请随时咨询！
产品名称: CCD成像仪
产品规格: LC3000系列模拟相机、LD3500系列数字相机、YD5000系列彩色相机、CCD成像系统
产品介绍: 商斯达公司提供的高性能CCD行扫描相机，它们具备的低噪声、低暗电流、高分辨率、高动态范围的特点，特别适合光谱仪、生物医学成像、工业、军事以及科研成像应用。
典型应用：生物医学成像；生产过程质量控制、产品监测、与自动控制，机器视觉传感器应用；文件扫描、光学字符识别；条形码扫描、包裹扫描、产品质量、包装、形状识别、表面缺陷或粗糙度检测；非接触测量、尺寸动态测量；天文成像以及其它工业和科研成像应用。
一、产品分类：
1、LC3000系列模拟行扫描相机，高性能、低价格、小尺寸，分辨率512、1024、2048像素，10Mhz 或 20Mhz数据率差分驱动模拟视频输出。
2、LD3500系列数字行扫描相机，高性能、低价格、小尺寸，分辨率512、1024、2048像素，CameraLink 以及LVDS(RS-644)视频格式输出，20Mhz或者40Mhz的数据率。即插即用，可以和多数的视频卡连接。
3、 YD5000系列数字彩色行扫描相机，分辨率1024、2048、4096、6144像素，三路视频输出，每路30Mhz的数据率。典型应用于印刷检测、文件扫描、产品和食物检测、塑料分拣、纸张循环、运动图片成像、以及其它高速工业、科学彩色成像应用。
4、MultiBlue Biotech CCD相机是高性能、低价格、高分辨率、不需要冷却的成像系统， 640 x 480像素、像素尺寸7.4um x 7.4um；USB2.0接口以及IEEE-1394B(FireWire)接口。适合高级工业成像应用：半导体检查、制药质量控制、食品饮料检查、交通控制等
5、ColdBlue CCD相机是科学级、高级CCD成像系统，2184 x 1472像素、像素尺寸6.8um x 6.8um。特别适合应用于蛋白质量化、荧光显微镜、荧光镜、光谱仪以及半导体成像。
产品简介
：过去，数码语音的开发设计录制复杂、开发成本高，而且音质欠佳，难以实用。现在，美国ISD公司的专利新产品――ISD语音电路使这一切发生了根本的改变：音质自然、随录随放、断电不丢失、低功耗、控制灵活、价格低廉……因此迅速在智能仪表、治安报警、语音报站、报数报价、语音讲解、语音记录、语音教学、智能玩具、电子礼品等场合获得了广泛的应用。主要特点： ★使用方便的10秒至16分钟语音录放 ★多段信息处理，可分1至800段 ★高质量、自然的语音还原技术 ★边沿/电平触发放音兼容 ★手动控制/微处理器控制兼容 ★无需开发系统，随录随放 ★自动节电，维持电流0.5-1uA ★不耗电信息保存100年（典型值） ★100,000次录音周期（典型值） ★易于开发语音产品，可通过录音棚录入高保真语音
LAC系列微功率无线数传模块采用Chipcon公司 CC1000 RF芯片，增加了Atmel公司的微功耗单片机，内置高纠错信道编码技术，无需申请频率使用许可，无需任何编码，具有突出的使用简便、抗干扰强、通信稳定的特点。
★低功率、低功耗及休眠功能。最大发射功率为10-500mW。
★工作频率在ISM频段，无需申请频点。载频频率430.434MHz，也可提供其它载频。
★高灵敏度、高抗干扰能力：基于FSK的调制方式，采用高效前向纠错信道编码技术，提高了数据抗突发干扰和随机干扰能力，在信道误码率为10-2时，可得到实际误码率10-5～10-6。
★透明数据传输：能适应任何标准或非标准的用户协议。自动纠错并过滤掉空中产生的噪音及假数据（所发即所收）。
★标准8信道配置，满足用户多种通信组合方式。传输距离远，可传输无限长的数据帧。
★多种接口方式：TTL/RS232/RS485接口板上用户自选，无需外接转换模块。
★多种通信波特率：1200/2400/4800/9600/38400bps多种速率，出厂时设定。
★智能数据控制，用户无需编制多余的程序，即使是半双工通信，用户也无需编制多余的程序，只要从接口收/发数据即可，其它如空中收/发转换，控制等操作，模块能够自动完成。
从事研究、开发、生产与销售无线通信产品的高新技术企业。公司重视知识，尊重人才，这里汇聚着通信、电子、计算机、自动控制以及管理学科的一大批高素质、专业化的优秀人才，在公司良好的创业环境下，得以在实践中造就，才华得以尽情发挥，使得公司保持了长期的高速发展。公司拥有各种高档仪器仪表和先进的自动化设备，汇以全体员工兢兢业业的敬业精神和全面质量管理的理念，确保了每一产品的品质优秀和使用方便可靠。同时公司十分重视为用户提供一流的技术服务以及售后服务，既保证了用户采用最佳的实现方案，又保证了用户的有效投资，而且长期保持对用户使用产品的信息跟踪与反馈，全方位地为用户提供优质完善的售后服务。公司秉承“专业敬业，科技创造财富”的企业准则，全心致力于无线数传领域，已成功地推出了具有独立知识产权，符合中国用户国情的SS系列无线数传精品，其中SS800系列数传电台已通过中华人民共和国无线电管理委员会的核准，并实现规模化生产。经过近多年的持续努力，公司在无线数据通信领域拥有自主的核心技术能力。我们的产品凭借其技术先进、工作稳定可靠和性价比高，已广泛应用于电力配电、水利工程施工、大型建筑工地、气象资料传输、油井水井计量、林业防护设施、环保监测设备、仓储货柜管理、水文水情监测、地震监测网络、集群通讯、灯塔信标、江河航运、地质勘探、交通运输、移动定位、军事训练、公安报警、医疗监护、自动抄表、衡器遥测及GPS等领域。
产品分类列表
- 遥控器类
- 固定码遥控器----割码
- 固定码遥控器----免割码
- 滚动码
- 学习型
- 发射模块类
- 不带编码发射模块
- 固定码编码发射模块
- 双频调频发射模块
- 调频发射模块
- 接收模块类
+ 不带解码接收模块
- 超再生
- 超外差
+ 固定码解码接收模块
- 超再生
- 超外差
+ 滚动码解码接收模块
- 超再生
- 超外差
- 双频调频接收模块
- 调频接收模块
- 无线开关控制器类
- 互锁型
- 脉冲型
- 时代之光
- 自锁型
- 双向收发模块
- 安防报警组件
- 家用型
- 汽车用
- 汽车电子用品
- 汽车多用测试仪
- 倒车雷达
- GSM汽车防盗器
- 汽车电瓶保护器
- 振动传感器
- 汽车中控锁
- 无线监控产品
- 2.4G影音传输模组
无线收发模块系列
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成立于1993年，是一间具优良信誉的国际性经销公司。专业代理通讯用的无源、有源光器件、微波、射频器件、IC及工业激光器等。公司的客户遍布全中国，大部份俱为国内知名的通讯业公司，其中包括各个军工研究所、雷达厂、短波超短波通讯设备厂、著名的网络及手机生产商。代理产品特别通用于通讯系统及军事用途上，例如：直放站、码分多址（CDMA）、无线本地回路 (WLL)、广播系统、甚小天线地球站（VSAT）、光纤通讯系统、雷达系统，微波无线电等。 公司现时共有五个地区办事处分布于国内各主要城市，为客户提供高效率的技术支持及客户服务。除了为多个射频、微波、光系统及手机生产商进行配套，公司拥有多名毕业于名牌大学电磁场与微波 、电子工程等专业并多年从事微波射频科研的高级工程师，长期全力协助客户在新产品研发及生产方面的工作。我们以提供专业优质的服务与及精益求精的态度作为对客户的承诺。有关的服务质素亦广为业界认同。因此公司在过去多年，多次获得客户颁授各类奖项。公司同时并坚守原则，保持高度的商业操守，对合作伙伴的知识产权，予以尊重和保护。
公司从成立伊始就致力于将世界领先的射频电子元部件推荐给香港和中国客户，这些产品广泛应用用于移动通信基站、直放站、卫星通信、有线电视、雷达、无线本地环等领域。公司现已成为北美高科技电子器件厂商在华的重要代理商。旗下代理之主要供应商包括AMC、ARLON、ATC、Excelics、Integra、MSI、Philips、Planar、Radiall、Renaissance、R&K、RLC、Sirenza、Valpey Fisher、Z-Comm等。公司珍视与每一位客户长期合作关系，所以非常重视给予客户在不同阶段的支持。 代理和经销的品牌如下： 经营业务： 公司业务范围： 一、 国外主要品牌的军品级、工业级、民用级元器件，功能模块，停产及偏冷门IC； 二、专业提供SMD片状器件，二、三极管（微波、高频、射频、衰减、检波、变容等）； 三、TDK、MURATA、SAMSUNG陶瓷电容、AVX、VISHAY钽电容，军品电容、高频电容，各种规格进口铝电解； 四、国外各品牌高频、微波、光纤、通讯器件，军民用射频器件和模块，具体有射频管，隔离器、环型器、功放模块、混频器、耦合器 (800MHZ/900MHZ/1800MHZ/2100MHZ)各频段器件； 五、进口、国产军工、通信用DC/DC电源模块，规格齐全，并承接电源产品的设计开发； 六、为国内中小型电子制造企业提供完整的元器件配套服务。 1.SEMCO金属包层电容:MCM系列： 1-1000 PF 10×10mm大个金属包层电容耐压500V MIN系列：1-350 PF 5×5mm 小个金属包层电容:1-350PF,耐压250V 2.片式空气微调电容,管式空气可调电容 3.高Q值高压贴片电容:高Q值、低ESR、工作频率最高可达3GHZ广泛应用于高频电路、 VHF-微波段、射频及放大电路中。 代理韩国三和“SAMWHA”电解电容、薄膜电容、贴片电容，日本“SANYO”OS-CON、POSCAP、EPCAP电容，“DAIN”安规电容，开发生产“FCON”电解电容器,高频电源。并已取得ISO14001品质管理系统证书及国际安全认证，主要配套于功放、音响、电表、开关电源、充电器、节能灯、镇流器、数码相机、数字通讯、监控器材等产品并可提供配套。所经销的产品受国内外各大厂商承认采用，备有充足现货及样品，接受国内及香港厂商订货/交货，欢迎垂询！
商斯达实业是最早专业经销片式电子元器件的公司之一。10多年来，我们秉承“ 诚信、认真、执著、乐观 ”的经营理念，在新老客户的鼎力支持和全体员工不懈努力下，商斯达实业得以不断壮大，现已发展成集科、工、贸于一体的综合性实业公司。商斯达实业主要代理长电实业、 LRC （乐山无线电）半导体分立器件、 FH （风华英达）被动元件，同时分销 TDK , MURATA, AVX, VISHAY, ROHM, NEC, TOSHIBA, ZETEX, RENESAS , PANASONIC 等品牌的电子元件。
|
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| 型 号 | 品 牌 | 描 述 | 典 型 应 用 | 封 装 | 资 料 |
| ATC100B8R2JW500XB | ATC |
|
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| ATC100B4R7JW500XB | ATC |
|
|||
| ATC100B1R8JW500XB | ATC |
|
|||
| ATC100B1R6JW500XB | ATC |
|
|||
| ATC100B100JW500XB | ATC |
|
|||
| ATC100B0R9JW500XB | ATC |
|
|||
| ATC100B120JW500XB |
|
||||
| ATC100B220KW500XB |
|
||||
| ATC100B101KW500XB |
|
||||
| ATC100B151KW500XB |
|
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| ATC100B471KW500XB |
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| SEMCO 10*10 1-680P/500V |
|
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| SEMCO 5*5 1-400P/250V |
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SEMCO金属包层电容:
美国SEMCO公司是世界著名高频金属包层电容制造商,其产品是利用浸制云母做介
质和低电感引线接头，然后用金色外壳夹合。这种材料使电容具有极好的稳定性,
和极佳的高温特性,是高频放大设备不可缺少之零件,其产品包括:
MCM系列： 1-1000 PF 10×10mm大个金属包层电容耐压500V
MIN系列：1-350 PF 5×5mm 小个金属包层电容:1-350PF,耐压250V
TRONSER TRIMMER 片式空气微调电容
转子与定子：由黄铜经精密加工后镀银,Q值1MHZ-8000MHZ，广泛应用于通讯
设备中。容值: 1-14 PF； 2-23 PF，空气间隙:0.2mm ，测试电压:300V
管式空气可调电容
高Q值，高准确度(1%)，连续可调，定子和转子由精加工镀金黄铜管制作.
60-（1-14PF，Q值>5000@200MHZ，250VDC）
60-（1-14PF，Q值>5000@200MHZ，250VDC）
60-（1-14PF，Q值>5000@200MHZ，250VDC）
HTK高Q值高压贴片电容:
高Q值、低ESR、工作频率最高可达3GHZ广泛应用于高频电路、VHF-微波段、
射频及放大电路中。
l 命名方法
HQ 0805 CG 101 J 500 W T
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧
高Q电容器 尺寸 温度系数 电容量 容差 电压 端电极类型 包装方式
① 片式电容器代号
字母代码
|
片式瓷介电容器
|
HQ
|
高品质因素型（低损耗）
|
②尺寸
规格
|
尺寸(mm)
|
||||
L
|
W
|
T（max）
|
B（min）
|
B（max）
|
|
0805
|
2.0±0.2
|
1.2±0.2
|
1.40
|
0.25
|
0.76
|
1206
|
3.2±0.2
|
1.6±0.2
|
1.40
|
0.25
|
0.76
|
1210
|
3.2±0.2
|
2.5±0.2
|
1.70
|
0.25
|
0.76
|
③温度系数
代号（EIA）
|
温度系数
|
工作温度
|
CG(COG)
|
0±30ppm/℃
|
-55℃至+125℃
|
HQ(H2G)
|
-33±30ppm/℃
|
|
LG(L2G)
|
-75±30ppm/℃
|
|
PH(P2H)
|
-150±60ppm/℃
|
|
RH(R2H)
|
-220±60ppm/℃
|
|
SH(S2H)
|
-330±60ppm/℃
|
|
TH(T2H)
|
-470±60ppm/℃
|
|
UJ(U2H)
|
-750±120ppm/℃
|
④标称静电容量
代号
|
容值
|
101
|
100pF
|
1R5
|
1.5 pF
|
⑤容差
代号
|
容差
|
适用范围
|
B
|
±0.1pF
|
≤10pF
|
C
|
±0.25pF
|
|
D
|
±0.5pF
|
|
F
|
±1%
|
＞10pF
|
G
|
±2%
|
|
J
|
±5%
|
⑥额定电压
代号
|
额定电压（直流）
|
500
|
50V
|
101
|
100V
|
251
|
250V
|
501
|
500V
|
⑦端电极类型
字母代码
|
端电极类型
|
W
|
镀镍、铅锡电极
|
P
|
银钯电极
|
⑧包装方式
字母代码
|
端电极类型
|
T
|
编带包装
|
B
|
带装
|
l 电容量范围一览表
类型
|
尺寸
|
额定电压
|
容值（pF）
|
CG
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
1210
|
500V
|
0.5～1000
|
|
HG
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
1210
|
500V
|
0.5～1000
|
|
LG
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
PH
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
RH
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
SH
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
TH
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
||
UJ
|
0805
|
50V
|
0.3～200
|
100V
|
0.3～200
|
||
250V
|
0.3～100
|
l 性能及测试方式
序
号
|
项目
|
规格
|
测试方法
|
|
1
|
使用温度范围
|
-55℃～+125℃
|
|
|
2
|
额定电压
|
参照上面
|
额定电压表示可以连续施加在电容器上
的直流电压或脉冲的峰值电压。
|
|
3
|
外形
|
无损坏或异常
|
目测检查
|
|
4
|
尺寸
|
参照上面
|
卡尺检查
|
|
5
|
耐电压
|
无损坏或异常
|
充放电电流小于50毫安，在电容器两端施加
250%的电压1到5秒钟。
|
|
6
|
绝缘电阻
|
大于10000M
|
测量绝缘电阻时，应在不超过额定电压
(500V最大)、25℃和最高75%RH的条件下， 充电1分钟以后进行。
|
|
7
|
静电容量
|
在规定的容量误差内
|
电容的容量、Q值及D、F应在25℃的环境
频率 1±0.1MHz电压 1±0.2Vrms
|
|
8
|
Q值及D.F
|
Q≥5000
|
||
9
|
温度系数
|
参照上面 容量漂移
在±0.3%或0.05pF
(小于两者中较大者)
|
温度误系数=﹝（Ci-C3）/C3﹞/(Ti-T3)，
1、3和5步骤测量得到的误差的最大
|
|
10
|
端子电极的
粘着强度
|
端子电极无松动
及其它不良现象
|
将电容器焊接在玻璃环氧树脂上，
然后在端电极的侧面施加作用力。
|
|
11
|
耐振
动性
|
外观
|
无损坏或异常
|
电容器焊接在玻璃环氧树脂上，
电容器以毫米的振幅进行单谐运动，
并使其频率均匀地变化于10到55赫兹之间。
频率的变化应在大约1分钟的时间周期内，
10赫兹变化到55赫兹，然后再回到10赫兹。
3个互相垂直原方向分别施加2个小时
(总和为6个小时)。
|
容量
|
在规定的容量误差内
|
|||
Q值及D.F
|
Q≥5000
|
|||
12
|
弯曲
强度
|
|
无破裂或损坏的现象
|
使用混合焊锡，将电容器焊接在如图所示的
玻璃环氧树脂板上，施加如图所示的压力，
同时测量容量的变化率。
|
13
|
可焊性
|
|
端电极75%以上
均匀地焊上锡
|
电容器浸入助焊剂，然后将电容器在
80℃到120℃的温度预热10到30秒钟，
230℃±5℃的混合焊锡内2±0.5秒钟。
|
14
|
焊接的
耐热性
|
外观
|
无损坏的现象
|
以120℃至200℃的温度预热1分钟,预热后,
将电容器浸入260℃至265℃的混合焊锡中 10±1秒,浸入深度约10mm24±2小时。 |
容量变化
|
小于±2.5或±0.25pF。
(取较大者)
|
|||
Q/D．F
|
Q≥5000
|
|||
绝缘电阻
|
大于10GΩ)
|
|||
15
|
温度循环
|
外观
|
无损坏的迹象
|
用与第11项相同的方法将电容器
4种温度顺序进行5次循环。
然后将电容器在室温的环境下放置24±2小时。
|
容量变化
|
小于±2.5或±0.25pF。
(取较大者)
|
|||
Q值及D.F
|
Q≥5000
|
|||
绝缘电阻
|
大于10GΩ
|
|||
16
|
耐湿性
|
外观
|
无损坏的迹象
|
|
容量变化
|
小于±5%或±0.5pF。
(取较大者)
|
将电容器放置于置40±2℃、95%的温度
环境下500±12个小时。
取出电容器，在室温的环境下放置24±2
小时再进行测量。
|
||
Q值及D.F
|
Q≥5000；<![endif]>
|
|||
绝缘电阻
|
大于1000MΩ
|
|||
17
|
耐湿度
负载
|
外观
|
无损坏的迹象
|
在电容器上施加额定的电压，并放置于
40±2℃、95%的温度环境下500±12个小时。 取出电容器，在室温的环境下放置24±2
小时再进行测量。电容器的充电、放电电流 应小于50mA。
|
容量变化
|
小于±7.5%或±0.75pF。
(取较大者)
|
|||
Q值及D.F
|
Q≥5000；
|
|||
绝缘电阻
|
大于10000MΩ
|
|||
18
|
耐高温
负载
|
外观
|
无损坏的迹象
|
在最高工作温度±3℃的条件下，
持续1000±12小时向电容器上施加为
额定电压150%的电压。
然后将电容器，在室温的环境下放置24±2小时，
电容器的充电、放电电流应小于50mA。
|
容量变化
|
小于±2.5%或+0.25pF
|
|||
Q值及D.F
|
Q≥5000；
|
|||
绝缘电阻
|
大于10000 MΩ
|
|||
大容量陶瓷电容（COG/X7R/X5R/Y5V）
|
Seq No |
Previous Part Number |
Global Part Number |
Primary |
Secondary |
|---|---|---|---|---|
|
1 |
GHM1030C0G101J630 |
GRM31A5C2J101JW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
2 |
GHM1030C0G151J630 |
GRM31A5C2J151JW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
3 |
GHM1030C0G221J630 |
GRM31A5C2J221JW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
4 |
GHM1030C0G331J630 |
GRM31A5C2J331JW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
5 |
GHM1030C0G471J630 |
GRM31A5C2J471JW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
6 |
GHM1030R101K1K |
GRM31AR33A101KY01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
7 |
GHM1030R102K630 |
GRM31BR32J102KY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
8 |
GHM1030R151K1K |
GRM31AR33A151KY01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
9 |
GHM1030R221K1K |
GRM31AR33A221KY01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
10 |
GHM1030R331K1K |
GRM31AR33A331KY01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
11 |
GHM1030R470K1K |
GRM31AR33A470KY01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
12 |
GHM1030R471K1K |
GRM31BR33A471KY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
13 |
GHM1030R680K1K |
GRM31AR33A680KY01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
14 |
GHM1030R681K630 |
GRM31BR32J681KY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
15 |
GHM1030SL100D2K |
GRM31B1X3D100JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
16 |
GHM1030SL120J2K |
GRM31B1X3D120JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
17 |
GHM1030SL150J2K |
GRM31B1X3D150JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
18 |
GHM1030SL180J2K |
GRM31B1X3D180JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
19 |
GHM1030SL220J2K |
GRM31B1X3D220JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
20 |
GHM1035SL270J2K |
GRM32Q1X3D270JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
21 |
GHM1035SL330J2K |
GRM32Q1X3D330JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
22 |
GHM1035SL390J2K |
GRM32Q1X3D390JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
23 |
GHM1035SL470J2K |
GRM32Q1X3D470JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
24 |
GHM1035SL560J2K |
GRM32Q1X3D560JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
25 |
GHM1035SL680J2K |
GRM32Q1X3D680JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
26 |
GHM1035SL820J2K |
GRM32Q1X3D820JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
27 |
GHM1038C0G100J3K |
GRM42A5C3F100JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
28 |
GHM1038C0G120J3K |
GRM42A5C3F120JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
29 |
GHM1038C0G150J3K |
GRM42A5C3F150JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
30 |
GHM1038C0G180J3K |
GRM42A5C3F180JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
31 |
GHM1038C0G220J3K |
GRM42A5C3F220JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
32 |
GHM1038C0G270J3K |
GRM42A5C3F270JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
33 |
GHM1038C0G330J3K |
GRM42A5C3F330JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
34 |
GHM1038C0G390J3K |
GRM42A5C3F390JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
35 |
GHM1038C0G470J3K |
GRM42A5C3F470JW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
36 |
GHM1038SL560J3K |
GRM42D1X3F560JY02L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
37 |
GHM1038SL680J3K |
GRM42D1X3F680JY02L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
38 |
GHM1038SL820J3K |
GRM42D1X3F820JY02L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
39 |
GHM1040SL101J3K |
GRM43E1X3F101JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
40 |
GHM1040SL121J2K |
GRM43D1X3D121JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
41 |
GHM1040SL151J2K |
GRM43D1X3D151JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
42 |
GHM1040SL181J2K |
GRM43D1X3D181JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
43 |
GHM1040SL221J2K |
GRM43D1X3D221JY01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
44 |
GHM1520X7R102K250 |
GRM188R72E102KW07D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
45 |
GHM1525X7R102K250 |
GRM21AR72E102KW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
46 |
GHM1525X7R103K250 |
GRM21BR72E103KW03L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
47 |
GHM1525X7R152K250 |
GRM21AR72E152KW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
48 |
GHM1525X7R222K250 |
GRM21AR72E222KW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
49 |
GHM1525X7R332K250 |
GRM21AR72E332KW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
50 |
GHM1525X7R472K250 |
GRM21AR72E472KW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
51 |
GHM1525X7R682K250 |
GRM21AR72E682KW01D |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
52 |
GHM1530X7R102K1K |
GRM31BR73A102KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
53 |
GHM1530X7R102K630 |
GRM31BR72J102KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
54 |
GHM1530X7R103K630 |
GRM31BR72J103KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
55 |
GHM1530X7R104K100 |
GRM31CR72A104KW03L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
56 |
GHM1530X7R152K1K |
GRM31BR73A152KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
57 |
GHM1530X7R152K630 |
GRM31BR72J152KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
58 |
GHM1530X7R153K250 |
GRM31BR72E153KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
59 |
GHM1530X7R153K630 |
GRM31CR72J153KW03L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
60 |
GHM1530X7R182K630 |
GRM31BR72J182KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
61 |
GHM1530X7R222K1K |
GRM31BR73A222KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
62 |
GHM1530X7R222K630 |
GRM31BR72J222KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
63 |
GHM1530X7R223K250 |
GRM31BR72E223KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
64 |
GHM1530X7R332K1K |
GRM31BR73A332KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
65 |
GHM1530X7R332K630 |
GRM31BR72J332KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
66 |
GHM1530X7R333K250 |
GRM31CR72E333KW03L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
67 |
GHM1530X7R471K1K |
GRM31BR73A471KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
68 |
GHM1530X7R472K1K |
GRM31BR73A472KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
69 |
GHM1530X7R472K630 |
GRM31BR72J472KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
70 |
GHM1530X7R473K250 |
GRM31CR72E473KW03L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
71 |
GHM1530X7R511K1K |
GRM31BR73A511KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
72 |
GHM1530X7R682K630 |
GRM31BR72J682KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
73 |
GHM1535X7R103K1K |
GRM32QR73A103KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
74 |
GHM1535X7R104K250 |
GRM32DR72E104KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
75 |
GHM1535X7R153K1K |
GRM32DR73A153KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
76 |
GHM1535X7R184K100 |
GRM32QR72A184KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
77 |
GHM1535X7R223K1K |
GRM32DR73A223KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
78 |
GHM1535X7R223K630 |
GRM32QR72J223KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
79 |
GHM1535X7R224K100 |
GRM32DR72A224KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
80 |
GHM1535X7R333K630 |
GRM32DR72J333KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
81 |
GHM1535X7R473K630 |
GRM32DR72J473KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
82 |
GHM1535X7R682K1K |
GRM32QR73A682KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
83 |
GHM1535X7R683K250 |
GRM32QR72E683KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
84 |
GHM1540X7R103K1K |
GRM43DR73A103KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
85 |
GHM1540X7R104K630 |
GRM43DR72J104KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
86 |
GHM1540X7R154K250 |
GRM43QR72E154KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
87 |
GHM1540X7R224K250 |
GRM43DR72E224KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
88 |
GHM1540X7R333K1K |
GRM43DR73A333KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
89 |
GHM1540X7R334K100 |
GRM43DR72A334KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
90 |
GHM1540X7R473K1K |
GRM43DR73A473KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
91 |
GHM1540X7R683K630 |
GRM43QR72J683KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
92 |
GHM1545X7R104K1K |
GRM55DR73A104KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
93 |
GHM1545X7R154K630 |
GRM55DR72J154KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
94 |
GHM1545X7R224K630 |
GRM55DR72J224KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
95 |
GHM1545X7R334K250 |
GRM55DR72E334KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
96 |
GHM1545X7R474K250 |
GRM55DR72E474KW01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Medium-voltage |
|
97 |
GRM110C0G010C50 |
ERF1DM5C1H1R0CD01B |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Capacitors |
|
98 |
GRM110C0G010C50 |
ERF1DM5C1H1R0CD01L |
Capacitors |
Monolithic Ceramic Capacitors |
|
99 |
GRM110C0G010C50 |
ERF1DM5C1H1R0CD01B |
Microwave Components |
Monolithic Ceramic Capacitors |
|
100 |
GRM110C0G010C50 |
ERF1DM5C1H1R0CD01L |
Microwave Components |
Monolithic Ceramic Capacitors |
| ATC公司是一家专业开发设计生产优质陶瓷电容的高科技公司，凭独特处理技术为世界RF/微波领域提供高性能电容，从1964年起，ATC 电容已被广泛应用于军工及商业应用，包括导弹系统，卫星广播设备，移动电话，医疗电子、军工及民用飞机雷达和导航系统，甚至所有美国太空系统电路都有ATC的存在。 | |
|
100A系列陶瓷贴片电容 功能应用： 分路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： 微波RF/IF放大器、混合器、振荡器、低噪声放大器、滤波网络、计时电路、延时线及医疗设备 电气规格： 容值：0.1pF-100pF 高Q值:Q＞10000@1MHz 耐压:150WVDC 温度系数:+90±20ppm/oC(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 1.4mm×1.4mm 特性: 已改进低ESR/ESL性能表现 ATC高自振多层电容 |
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100B系列陶瓷贴片电容 功能应用: 分路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： 微波射频功率放大器、混合器、振荡器、低噪声放大器、滤波网络、计时电路、延时线及医疗设备 电气规格： 高Q值:＞10000@1MHz 耐压:高达500WVDC 温度系数: +90±20ppm/oC(-55oC至 +125oC) +90±30ppm/oC(+125oC至- +175oC) 尺寸大小: 2.79mm×2.79mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 加长工作温度至+175oC |
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180R系列NPO超低ESR陶瓷贴片电容 功能应用: 分路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： 射频功率放大器、振荡器、滤波网络、计时电路、延时线及医疗设备 电气规格： 容值：0.5pF-100pF 高Q值:Q＞10,000@1MHz 耐压: 高达500WVDC 温度系数: 0±30ppm/oC(-55oC至 +125oC) 0±60ppm/oC(+125oC至 +175oC) 尺寸大小: 1.78mm×2.67mm 特性: ATCESR电容 ATC最高自共振多层电容(MLC) |
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100C系列高RF功率多层贴片电容(MLCs) 功能应用： 分路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： VHF/UHF射频功率放大器、天线调谐、MRI线圈及医疗设备 电气规格： 容值：1pF-2700pF 高Q值:Q＞10,000(1pF至1000pF)@1MHz Q＞10,000(1100pF至1700pF)@1KHz 耐压:高达2500WVDC 温度系数:+90±30ppm/oC(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 6.35mm×6.35mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 应用于高RF电流和电压电路中异常稳定 |
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100E系列高RF功率多层贴片电容(MLCs) 功能应用: 分路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： VHF/UHF射频功率放大器、天线调谐、MRI线圈及医疗设备 电气规格： 容值： 高Q值:Q＞10,000(1pF至1000pF)@1MHz Q＞10,000(1100pF至5100pF)@1KHz 耐压: 高达7200WVDC 温度系数: 0±30ppm/oC(-55oC至 +125oC) 0±60ppm/oC(+125oC至 +175oC) 尺寸大小: 9.65mm×9.65mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 应用于高RF电流和电压电路中异常稳定 |
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700A系列NPO多层贴片电容(MLCs) 功能应用: 分路、耦合、调谐、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： 振荡器、滤波网络、计时电路、小信号射频功率放大器及医疗设备 电气规格： 容值：0.1pF-1000pF 高Q值: Q＞10,000(0.1pF至100pF)@1MHz Q＞2,000(110pF至1000pF)@1MHz 耐压: 高达150WVDC 温度系数:0±30ppm/oC(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 1.4mm×1.4mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 在需要最小频率飘移的射频/微波电路应用中, 性能表现特别出色 |
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700B系列NPO多层贴片电容(MLCs)
功能应用: 分路、耦合、调谐、阻抗匹配、直流阻隔 电路应用： 振荡器、滤波网络、计时电路、射频功率放大器及医疗设备 电气规格： 容值：0.1pF-5100pF 高Q值: Q＞10,000(0.1pF至200pF)@1MHz Q＞2,000(220pF至1000pF)@1MHz Q＞2,000(1100pF至5100pF)@1KHz 耐压: 高达500WVDC 温度系数: 0±30ppm/oC(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 2.79mm×2.79mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 在需要最小频率飘移的射频/微波电路应用中, 性能表现特别出色 |
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200A系列BX陶瓷贴电电容 功能应用: 分路、耦合、直流阻隔 电路应用： 开关电源、宽带耦合器、小信号放大器 电气规格： 容值：510pF-0.01MFd 耐压:50WVDC 温度系数:±15%(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 1.4mm×1.4mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 新改进电流处理能力 |
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200B系列BX陶瓷贴电电容 功能应用: 分路、耦合、直流阻隔 电路应用： 开关电源、宽带耦合器、功率放大器 电气规格： 容值：5000pF-0.1MFd 耐压:50WVDC 温度系数:±15%(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 2.79mm×2.79mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 新改进电流处理能力 |
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900C系列X7R陶瓷RF功率多层电容 功能应用: 分路、耦合、直流阻隔 电路应用： HF/RF功率放大器,开关电源、高频开关电源滤波器、医疗设备 电气规格： 容值：0.01MFd-1MFd 耐压:300WVDC 温度系数:±15%(-55oC至+125oC) 尺寸大小: 6.35mm×6.35mm 特性: 新改进低ESR/ESL性能表现 高效率,适合应用于为HF/RF功率电路 |
| 美国ATC公司最新推出全系列高功率平衡电阻及终端电阻。 ATC所有之电阻均采用没有毒性的 ， 环保的氮化铝材料。 | |
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性能指标: 12 WATTS [1 KW 峰值功率] 型号: FR300-012SXXX-XX 频率: DC to 6.0 GHz 容值: 0.6 pF |
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性能指标: 30 WATTS [2 KW 峰值功率] 型号: FR800-030SXXX-XX 频率: DC to 5.0 GHz 容值: 0.5 pF |
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性能指标: 100 WATTS [4 KW 峰值功率] 型号: FR870-100SXXX-XX 频率: DC to 4.0 GHz 容值: 0.6 pF |
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性能指标: 150 WATTS [4 KW 峰值功率] 型号: FR870-150SXXX-XX 频率: DC to 4.0 GHz 容值: 1.0 pF |
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性能指标: 60 WATTS [2 KW 峰值功率] 型号: FT515-060S06 频率: DC to 6.0 GHz 驻波比(最大): 1.25:1 DC to 4.0 GHz 1.35:1 4.0 DC to 6.0 GHz |
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性能指标: 100 WATTS [2 KW 峰值功率] 型号: FT800-100S04 频率: DC to 4.0 GHz 驻波比(最大): 1.15:1 |
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TRONSER TRIMMER 公司于1951年在德国成立，很快的，他们的高质量微调电容受到用户的赞赏，产品畅销世界各地，用户遍布40多个国家，是欧洲唯一的微调电容专业厂家，已在国际市场上站稳阵脚。 优良的员工和尖端的技术保证产品符合高质量标准，与客户不断的沟通迅速有效地满足客户的需求，速度、低成本及可靠性在日常操作中严格实施，是TRONSER 公司一贯坚持的宗旨。 如了解更多产品信息,请登陆下面的网址,谢谢! |
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管式空气可调电容 技术指标： 转子：经过机械加工之镀金黄铜管子，Q值高.拉管和整个转子螺纹接触面积大，此独特结构是高Q值的原因 定子：经过机械加工之镀金黄铜管子 介质：空气（气隙0.1mm） 绝缘体:打光高密度氧化铝(Al2O3) 温度范围：-65℃--+125℃ 寿命:＞75周 固定扭力:10Ncm、30Ncm、50Ncm 调整准确度：＜调整值1% 振动:60克@10-2000Hz 冲击:1500克-0.5ms |
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片式空气可调电器 技术指标： 转子与定子:由固体黄铜压出,经过精密机械加工及镀银 定子:焊接于缩合于陶瓷底座的固态黄铜铆钉上 典型Q值: 1MHz--8000、50MHz--6000、100MHz--4000、200MHz--1500 空气间隙：0.20mm 测试电压:300Vrms 绝缘电阻:＞25000MΩ 扭力:1.0--5.0Ncm 陶瓷底座:滑石瓷,L-423等级或更好,硅浸制 引线端子:防火镀锡,按照1EC28-2-20可焊性标准试验 |
| SEMCO是可靠高质金属云母包层电容的专业厂家，产品已广泛应用于世界RF/MICROWAVE领域。 | |
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设计及构造： SEMCO“MCM”及“MIN”系列是固定金属包层浸制云母或镀银云母电容，带有低电感引线接头，可在千赫兹范围内运作。金属包层云母电容是利用著名的INDIA RUBY MUSCOVITE 云母制造的。这种特别材料使电容具有极佳之高温特性及超卓之稳定性。 低容值单元是利用预定厚度的非镀银云母片叠加起来，然后用金属外壳和低电感引线端子夹合。 高容值单元是利用事先测试好之镀银云母片叠加起来，然后用金属外壳和低电感引线端子夹合。 金属包层云母有多种不同引线封装结构。所有引线及外壳均镀银，方便电极和引线的正电接触。 根据用户规格要求，金属包层云母电容都用高温蜡或硅浸制，“MCM”系列51PF及以下容值及“MIN”系列10PF及以下容值电容均采用TEFLON介质为材料。 电气规格： 1.容值范围: MCM系列：1pF至1000pF MIN系列：1pF至350pF 2.容值精度： ±0.5%,±1%,±2%,±5%,±10%,±20%。 100pF以下容值最标准精度为±0.5PF。 3.介电强度： 电压为工作电压2倍时，电容可工作最少5秒。 4.绝缘阻抗（IR）： 1000MΩUF,25oC时不需超过105MΩ。 主要应用： 射频功率放大器 |
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EACO电容, 用于高频滤波, EACO各类功率电容，采用聚丙烯双面 |
SLH 系列 | |||||
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应用
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开关电源输入，输出滤波；谐振线路；高纹波电流应用 | |||||
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特性
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高可靠的电气特性，低ERS值 | |||||
| 高谐振频率，纹波电流最高可达30A | ||||||
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| STD 系列 | ||||||
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| 应用 | IGBT突波吸收；开关电源保护线路；感应加热； | |||||
| 高脉冲，大电流应用 | ||||||
| 特性 | 电容和引线间自身感抗小于1nH/mm | |||||
| 低ERS值，高du/dt | ||||||
| 电压等级：700-3000Vdc | ||||||
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| STM 系列 | ||||||
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| 应用 | IGBT突波吸收；开关电源保护线路；感应加热； | |||||
| 高脉冲，大电流应用； | ||||||
| 特性 | 电容和引线间自身感抗小于1nH/mm | |||||
| 低ERS值，高du/dt | ||||||
| 电压等级：700-3000Vdc | ||||||
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| SHF 系列 | ||||||
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| 应用 | 高纹波电流存在的PMW线路滤波。 | |||||
| 特性 | 高频，高纹波电流 | |||||
| 低ERS值 | ||||||
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| SHV 系列 | ||||||
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| 应用 | 倍增线路，比如医疗器械，示波仪，高压开关电源 | |||||
| 特性 | 有良好的自愈特性，无感 | |||||
| 电压 4000-20000Vdc | ||||||
| 容量：0.001-1.5MDF | ||||||
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抑制电磁干扰电容器金属化聚丙烯膜卷绕，镀锡包钢引线，难燃塑料外壳，阻燃环氧树脂灌封。体积小，介质损耗低，可承受瞬间浪涌电流和脉冲电压，电气性能优良。八国安全认证及CQC认证。广泛应用于电源滤波器、开关电源、电动工具等电气设备。
超高压薄膜电容器螺栓式高压电容 -- 选用聚苯乙烯薄膜作介质、铝箔为电极卷绕而成。聚苯乙烯膜自包封、铜质螺栓引出线。具有工作电压高、容量大、绝缘电阻大、介质损耗很小等特点。应用场合：大功率的高压静电植绒设备、高压静电除尘设备、工业/商业静电式空气净化器、高压电气测量设备等等。
本公司为专业销售电阻、电容的专业公司，生产产品广泛应用於:通讯、电视、电脑、仪器仪表、电器产品、专用电源等；具体产品型号如下：
1、CL11（薄膜电容）、CL21；CL21X；CL22；CL61；CL81；CH21； CBB13、CBB21、CBB62、CBB81、CBBB1 （点火）金属化薄膜电容。
2、CBB60、CBB61、CBB65（电机启动电容）等聚脂膜、聚 丙烯膜金属化薄膜电容。
3、250VAC、275VAC（X型、Y型）安规电容。
4、高压高频、高频感应、高压变频等用Hi-Vol型AC/DC（10000V、15000V）高压、高频电源专用金属化电容器。
全部产品均通过CQC（民用标准）认证，UL；VDE；ISO9002认证，我们的宗旨：为客户提供高品质、低价格的产品，完善的售後服务
高频可调电容供贴片可调电容有MURATA、AVX等品牌，直径有2mm、3mm等多种型号，适用于各种精密射频通讯、微波通讯电子电器产品中。传统插脚式可调电容有AAVX等品牌，供应直径为3mm、6mm等多种型号，欢迎查询。
| 日立滤波电容 | |||||||||||||||||||||||
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 日立无感电容
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专业销售：金属化薄膜电容，高压高频电容，大电流电容，电机起动电容，电解质钽电容，普通民用金属膜电阻、金属氧化膜电阻、军用金属膜电阻、精密、高精密电阻；高压电阻；大功率电阻；线绕电阻；高精密线绕电阻；精密玻璃釉电位器；精密线绕电位器；电阻网络，电容网络，具体产品型号如下：
一、RJ13、RJ13S、RJ14、RJ14S、RJ15、 RJ15S、RJ16、RJ16S、RJ17RJ24A、RJ25A型金属膜电阻。
二、RJ23、RJ23B、RJ24、RJ24B、RJ25、RJ25B、RJ57、RJ57B、RJ58、RJ58B型高稳定型金属膜电阻，
三、RY20（RYG1）、RY21（RYG2）型金属氧化膜
电阻器。RY94、RY95、RY97、RY98、RY99耐电冲击金属氧化膜电阻。
四、J-RJ13、J-RJ14、J-RJ15、J-RJ16、J-RJ17、G-RJ13、G-RJ14、G-RJ15、G-RJ16、G-RJ17；RJ23、RJ24、RJ25、RJ57、RJ58军用色环电阻。
五、RI40型玻璃釉电阻，
六、RI12型玻璃釉电阻，
七、RI42型玻璃釉电阻，
八、RI80型高压高阻玻璃釉电阻器，
九、RI80F型高压高阻玻璃釉电阻分压器，
十、RJK（RNC）型有可靠性指标的精密金属膜电阻器，
十一、RII-8（EE）型高精密塑封金属膜电阻器，
十二、RII-8A型无引线电阻器，
十三、RII-9（RE）型高精密金属膜电阻，
十四、RJ711、RII-18、RII-26型高精密合金箔电阻器，
十五、RII-29合金带电阻器，
十六、RN系列单、双列插电阻网络（排阻）、电容网络
（排容），军用片式3216、2012、1608电阻
十七、RII-29C（1-20W）瓷壳无感取样电阻，
十八、CL21、CL21X、CL22、CL61、CL81、CH21、CBB13、CBB21、CBB62、CBB81、CBBB1（机车点火）、CBB60、CBB61、CBB65（电机启动电容）等DC（直流）/AC（交流）聚脂膜、聚丙烯膜金属化薄膜电容。
十九、Hi-Vol高压AC/DC金属化膜电容器(高压高频电容器）。
二十、JCAK（CAK）系列有可靠性指标的军民用固体电解质钽电容，
二十一、CA、CCA、系列固体（非固体）、（树脂包封）军 民用电解质钽电容，
二十二、CII-40型容量组合式非固体电解质钽电容，
二十三、3296、3323、3006、3386、3329、3266;3362等(商业级;工业级;军用级)高精密玻璃釉电位器，
全部产品均通过GJB（军用标准）军工体系人证; CQC（民用标准）认证，长城安全人证，IS09001、ISO9002认证，UL认证，VDE等认证.我们的宗旨：为客户提供高品质、低价格的产品，完善的售後服务。
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民用射频器件和模块
HONEYWELL（霍尼韦尔）
