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DTM-IGBT 模块缓冲保护吸收(直接安装)
· 金属化聚丙烯膜无感卷绕而成;壳式封装
· 引出铜片直接连接于IGBT模块,*在限度减少回路电感量
· 低等效串联电感
· 具有较低的*R
· 采用双面金属化膜做电*,可承受*高的du/dt
· 可承受很大的峰值电流和高频*电流
· 额定电压: 630 to 4000 Vdc
· 电容量: 0.0047 - 5.6μF
· 资料下载DTM .pdf 网址:www.dawncapacitor.com
DTM--1200VDC--0.1uf/0.15uf/0.22uf/0.33uf/0.47uf/0.68uf/ 1.0uf/1.5uf/2.0uf/3.0uf
DTM--1600VDC--0.47uf/0.68uf/1.0uf/1.5uf/2.0uf
*比,广泛应用于变频器、功率电源、*电磁设备、电机驱动、
牵引、混合动力车、逆变焊机、太阳能/风力发电等
电力电子功率器件的缓冲吸收保护(IGBT IG* GTO)。
有需要的朋友,欢迎咨询QQ:2410505045
手机:(李后生)
: 0755-
固定
630-4000(V)
引出铜片直接连接于IGBT模块,*在限度减少回路电感量
具有较低的*R,可承受很大的峰值电流和高频*电流
0.1-5.6(uF)
缓冲吸收保护
DTM
采用双面金属化膜做电*,可承受*高的du/dt
&plu*n;0.05(%)
径向引出线
5(mΩ)
DAWN
2500(V)
*薄膜
方块状