三*管,晶体管,|NPN和PNP两种结构

　　乾野电子成功的*是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与*的8"芯片*厂、封装与测试*厂的紧密合作，通过*产品在生产和测试过程中的质量控制，*大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。

　　三*管的介绍
　　半导体三*管又称"晶体三*管"或"晶体管".在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电*引线，分别叫基*B、发射*E和集电*C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。

　　三*管的工作原理
　　晶体三*管（以下简称三*管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用*多的是硅NPN和锗PNP两种三*管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源*性不同外，其工作原理都是相同的，下面*介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射*e、基*b和集电*c.
　　当b点电位高于e点电位*点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电*电源Ec要高于基*电源Ebo.在制造三*管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射*电流了。由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电*电流Ic,只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基*电源Eb重新补给，从而形成了基*电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic,这就是说，在基*补充一个很小的Ib,就可以在集电*上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持*的比例关系，即：β1=Ic/Ib 式中：β1--称为直流放大倍数，集电*电流的变化量△Ic与基*电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib.式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三*管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三*管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。