扩散型二*管
在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。*近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
台面型二*管
PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其*要的部分，把不*要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现*面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
平面型二*管
在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上*选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以*为是稳定性好和寿命长的类型。*初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二*管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
