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Part Number（编码）
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Chip（晶片）
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Material（材料）
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Emitting（颜色）
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入P(nm)
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GaN/GaN
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WHITE
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Parameter（参数）
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Symbol
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MIN
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TYP
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MAX
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UNIT
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T*T CONDITION
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Forward Voltage（顺向电压）
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VF
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3．0
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/
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3．4
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V
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If=20mA
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Domi Wavelength（主波长）
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λd
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nm
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Reverse Current（反向电流）
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IR
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10
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μA
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VR=5V
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Power dissipation
（消耗功率）
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Pd
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170
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mW
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Luminous Intensity
（发光强度）
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IV
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2500
|
/
|
3500
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mcd
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If=20mA
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Peak Forward Current
（顺向电流峰值）
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If(Peak)
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100
|
mA
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Recommend Forward Current
（顺向电流）
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If(Rec)
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20
|
|
mA
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Electrostatic Discharge
（静电释放）
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*D
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2000
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|
V
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1.BSOLUTE MAXIMUM RATINGS：（Ta=25℃）
2.OPERATING TEMPERATURE：—40℃TO80℃ (操作温度)
3.LEAD SOLDERING：260℃FOR 5 SECONDS（焊接条件） 4. 储存条件:25℃以下60%湿度以下.
