供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP9N25C 【原装】

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

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数据列表

FQP9N25C,

产品相片

TO-220-3, TO-220AB

标准包装

1,000

类别

分立半导体产品

家庭

FET -

系列

QFET™

FET类型

MOSFET N通道,金属氧化物

FET功能

标准

漏源*电压(Vdss)

250V

电流-连续漏*(Id)25° C时)

8.8A

不同 IdVgs时的 Rds On(*大值)

430毫欧@ 4.4A10V

不同Id时的Vgs(th)(*大值)

4V @ 250µA

不同Vgs时的栅*电荷(Qg)

35nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

710pF @ 25V

功率-*大值

74W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

供应商器件封装

TO-220

包装

管件

 

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

FQP9N25C

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

用途

L/功率放大

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

安装类型

通孔

功率

74W

漏源*电压

250V