用途
*用於高壓、*開關應用
■特征:
*低正向壓降
*較小的總電容 *用於片式封裝
*較短的反向恢複時間 **圖形數 90000 只左右
芯片尺寸:280μm×280μm 壓焊區尺寸:φ120μm
芯片厚度:180±10μm
锯片槽宽度:40μm 金屬層:正面:Al 2.3±10μm,背面:Au 1.4±10μm
電特性(Ta=25℃)
參 數 名 稱
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* 號
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測 試 條 件
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* 小
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* 大
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典型值
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單位
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反向電壓
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VR
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IR=0.1mA
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80
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130
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V
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正向壓降
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VF(1)
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IF=10mA
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1.0
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0.67
|
V
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VF(2)
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IF=100mA
|
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1.2
|
0.92
|
V
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反向漏電流
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IR(1)
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VR=20V
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25
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nA
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IR(2)
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VR=75V
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1
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μA
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總電容
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CT
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VR=0, f=1MHZ
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3.0
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2.0
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PF
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反向恢複時間
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trr
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IF=IR=10mA Irr=0.1×IR
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4.0
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ns
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