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产品属性
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生产厂家:SANYO 、IR、VISHAY
描述: 晶体管
极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:33A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.052ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:94W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:94W
器件标记:IRF540N
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:27A
电流, Idm 脉冲:110A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:1 g 2 d/tab 3 s
针脚配置:a
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
IR/国际整流器
IRF540N
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
P-DIT/塑料双列直插
IGBT绝缘栅比极
10(V)
100(V)
1(μS)
3(pF)
0.4(dB)
33(mA)
94(mW)
其他IC