IR原装现货特价场效应MOS管墨西哥IRF540N

地区:
认证:

李胜利

普通会员

全部产品 进入商铺

生产厂家:SANYO 、IR、VISHAY   

描述:   晶体管

极性:N沟道   

漏极电流, Id 最大值:33A   

电压, Vds 最大:100V   

开态电阻, Rds(on):0.052ohm

电压 @ Rds测量:10V   

电压, Vgs 最高:4V   

功耗:94W   

封装类型:TO-220AB   

针脚数:3   

功率, Pd:94W   

器件标记:IRF540N   

封装类型:TO-220AB   

引脚节距:2.54mm   

晶体管数:1   

晶体管类型:MOSFET   

温度 @ 电流测量:25°C   

满功率温度:25°C   

热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W   

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V   

电压, Vds 典型值:100V   

电流, Id 连续:27A   

电流, Idm 脉冲:110A   

表面安装器件:通孔安装   

针脚格式:1 g   2 d/tab   3 s   

针脚配置:a   

阈值电压, Vgs th 典型值:4V

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF540N

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

IGBT绝缘栅比极

开启电压

10(V)

夹断电压

100(V)

低频跨导

1(μS)

极间电容

3(pF)

低频噪声系数

0.4(dB)

漏极电流

33(mA)

耗散功率

94(mW)

类型

其他IC