SMD晶振

产品详细参数：
　　频率范围：115 ~ 950 MHz
　　频率公差（25℃）：±75KHz,±150KHz
　　储存温度范围：-40 to +85℃
　　工作温度范围：-20 to +70 ℃
　　直流绝缘任何两个引脚之间的电阻：1.0M?
　　CW RF功率耗散：0dB
　　频率温度系数：0.032ppm
　　老化（25℃）：10ppm/y

如何提高石英晶振在振荡电路中性能指标的方法？
　　石英晶振本地振荡电路的性能直接影响射频接收电路的总体性能,因此,从电路总体性能的要求出发,对本振电路提出的相应设计要求主要包括振荡信号的强度、杂波抑制、频率准确度、稳定度等。
　　提高振荡电路性能指标的方法如下：
　　· 选用寄生响应比较高的泛音晶体。
　　· 提高振荡回路及选频回路的选择性。
　　· 在使用晶体时,应规定较大的寄生响应电阻比。一般三次泛音晶体应大于4∶1。
　　· 当晶体串联谐振频率ω1偏离回路谐振频率超过一定数量时,振荡信号强度变小,且出现畸变,杂波分量加大,这种情况应避免。
　　· 二倍频选频电路的频率响应也是影响振荡信号的强度及杂波分量大小的因素。因此,应选用高Q值电感,以提高回路增益及减小带宽。
　　最后,经实际测试,该振荡电路起振时间短、振荡幅度稳定且振荡频率可实现在晶振的标称值附近进行微调,其频率稳定度高且二倍频回路选频效果良好,幅度可达50～100mV,符合混频器对本振信号的功率要求。