㊣现货**-2SK2698 K2698

产品的详细情况
型号: 2SK2698
EOL announced
产品分类名: 晶体管/功率MOSFET/Nch 250V<VDSS≦500V 属性
属性值条件部件型号2SK2698 *性N沟漏源电压VDSS500 V 漏电流ID15 A 漏功耗PD150 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)58 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V0.4 Ω 封装TO-*(N) 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V)

品牌/型号

TOS日本东芝

种类

*缘栅MOSFET

用途

MIX/混频

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

12（V）

夹断电压

8（V）

低频跨导

2（μS）

*间电容

2（pF）

低频噪声系数

3（dB）

漏*电流

15（mA）

耗散功率

20（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型