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晶体三*管,是*常用的基本元器件之一,晶体三*管的作用主要是电流放大,他是电子电路的*元件,现在的大规模集成电路的基本组成部分也就是晶体三*管。 三*管基本机构是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种, 从三个区引出相应的电*,分别为基*b发射*e和集电*c。发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电*。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三*管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射*箭头向里;NPN型三*管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射*箭头向外。发射*箭头向外。发射*箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三*管和锗晶体三*管都有PNP型和NPN型两种类型。 三*管是一种控制元件,三*管的作用*的大,可以说没有三*管的发明就没有现代信息社会的如此多样化,电子管是他的前身,但是电子管体积大耗电量*大,现在已经被淘汰。三*管主要用来控制电流的大小,以共发射*接法为例(信号从基*输入,从集电*输出,发射*接地),当基*电压UB有一个微小的变化时,基*电流IB也会随之有一小的变化,受基*电流IB的控制,集电*电流IC会有一个很大的变化,基*电流IB越大,集电*电流IC也越大,反之,基*电流越小,集电*电流也越小,即基*电流控制集电*电流的变化。但是集电*电流的变化比基*电流的变化大得多,这就是三*管的电流放大作用。 刚才说了电流放大是晶体三*管的作用,其实质是三*管能以基*电流微小的变化量来控制集电*电流较大的变化量。这是三*管*基本的和*重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三*管的电流放大倍数,用*号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三*管来说是一个定值,但随着三*管工作时基*电流的变化也会有*的改变。根据三*管的作用我们分析它可以把微弱的电信号变成*强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三*管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三*管的基*上加一个微小的电流时,在集电*上可以得到一个是注入电流β倍的电流,即集电*电流。集电*电流随基*电流的变化而变化,并且基*电流很小的变化可以引起集电*电流很大的变化,这就是三*管的放大作用。三*管的作用还有电子开关,配合其它元件还可以构成振荡器,此外三*管还有稳压的作用。
松瀚/9012 TO-92
是
放大
NPN型
直插型
塑料封装
硅Si
点接触型