NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
集电*-发射*电压VCEO：15V
集电*-基*电压VCBO:20V
发射*-基*电压VEBO:1.5V
集电*直流电流IC:100mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-23
功率特性：*率
*性：NPN型
结构：扩散型
材料：硅(Si)
封装材料：塑料封装
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=1.5V
直流放大系数hFE: 60～250 @VCE=6V,IC=5mA
集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)
发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)
特征频率fT:8.0GHz@ VCE=6V,IC=5mA
集电*允许电流IC：0.1（A）
集电**大允许耗散功率PT：0.5（W）
功率增益GUM：14dB@IC=5mA,VCE=6V,f=1GHz
噪声系数NF：1.3dB@IC=5mA,VCE=6V,f=1GHz
反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz
