微型无记录仪 R6000\4.3英寸真彩TFT LCD（480*272点阵）

显示 屏幕： 4.3英寸真彩TFT LCD（480*272点阵）精度： 实时显示：&plu*n;0.2% F.S. 追忆精度：&plu*n;0.2% F.S. （注：热电偶应去掉冷端误差）处理器 采用*的ARM Cortex-M3 32位的RISC内核，可同时实现多路信号采集、记录、显示和多路报警 存储模块 采用大容量并行NAND FLASH闪存芯片存贮历史数据，采用串行FRAM存储芯片存贮系统配置参数等关键信息

显示 屏幕： 4.3英寸真彩TFT LCD（480*272点阵）精度： 实时显示：&plu*n;0.2% F.S. 追忆精度：&plu*n;0.2% F.S.

（注：热电偶应去掉冷端误差）。

处理器：采用*的ARM Cortex-M3 32位的RISC内核，可同时实现多路信号采集、记录、显示和多路报警 存储模块

采用大容量并行NAND FLASH闪存芯片存贮历史数据，采用串行FRAM存储芯片存贮系统配置参数等关键信息 。

数据转存 数据备份和转存：支持U* 1.1 、2.0 优盘，支持1G到16G的U盘进行数据转存，兼容*，可兼容市面上*

大多数的U盘（推荐使用工业版优盘） 。

输入功能 输入规格：全隔离*输入，*大支持4路模拟量输入 1路频率输入 。

显示

屏幕：4.3英寸真彩TFT LCD（480*272点阵）

精度：实时显示：&plu*n;0.2% F.S.

追忆精度：&plu*n;0.2% F.S.

（注：热电偶应去掉冷端误差）

处理器

采用*的ARM Cortex-M3 32位的RISC内核，可同时实现多路信号采集、记录、显示和多路报警

存储模块

采用大容量并行NAND FLASH闪存芯片存贮历史数据，采用串行FRAM存储芯片存贮系统配置参数等关键信息

输入功能

输入规格：全隔离*输入，*大支持4路模拟量输入 1路频率输入

电压输入：0-5V、1-5V、0-20mV、0-100mV

电流输入：0-10mA、4-20mA，（0-20mA输入需在订货时注明）

电阻输入：Res

频率输入：频率信号（PI）（频率范围：0.5-30000HZ；输入信号：0-10mA、0-12V、0-24V、4-20mA；其中4-20mA需定制）

热电阻：PT100、Cu50、G53、Cu100、BA1、BA2（要求三线电阻平衡，引线电阻<10Ω）

热电偶：S、B、K、T、R、E、N、J

辐射高温计：F1、F2

钨铼：WRe3-25、WRe5-26

其它输入信号（如开关量输入）或分度号（如PT1000）需在订货时注明

输出功能

配电输出：变送器集中配电 24VDC，标准配电≤30mA（*大负载能力可定制），支持多种规格集中配电（如12VDC、5VDC配电输出）

变送输出：*多支持2路通道的4-20mA标准电流变送输出，负载能力750Ω（*大），方便了显示仪表或DCS/PLC的采集，实现了信号的长距离传输

继电器报警输出：*多支持4路继电器报警输出，触点容量3A@220VAC/1A@30VDC，可组态上上限、上限、下限、下下限报警

通讯打印

通讯接口：RS232C或RS485，支持Modbus RTU协议，波特率----（1200、2400、9600、19200、38400、57600）

打印接口：RS232C直接连接微型打印机

记录功能

记录容量：64/128/192/248*（FLASH容量可选择）；

记录间隔：1秒至240秒，共分11档：1/2/4/8/12/24/36/60/120/180/240秒可选；

记录时间：记录时间的长短与FLASH存储器容量、输入点数、记录间隔有关，计算公式如下（代入数值的单位要与公式中一致）：

数据转存

数据备份和转存：支持U* 1.1 、2.0 优盘，支持1G到16G的U盘进行数据转存，兼容*，可兼容市面上*大多数的U盘（推荐使用工业版优盘）

供电电源

供电电源：220VAC，50HZ交流电源供电，支持24VDC（22VDC-32VDC）直流电源供电，支持12VDC（11.2VDC-20VDC）直流电源供电（直流供电需在订货时注明）

保护功能

断电保护：内置FLASH存储器保护参数和历史数据，断电后可永久保存

时钟保护：集成硬件时钟，掉电后也能准确运行

配电短路保护：配电输出短路时，仪表正常运行

误差精度

热电偶冷端补偿误差：&plu*n;2℃

时钟误差：&plu*n;2秒/天

环境因素

环境温度：0～50℃、避免日光直晒

环境湿度：0～85%R.H

仪表净重

净重：≤1.0Kg

注：技术指标为本系列仪表通用指标，功能配置请以实物为准。