生产销售 小功率场效应管 SI2301
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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽等优点,现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
工作原理:场效应管工作原理用一句话说,就是“漏*-源*间流经沟道的ID,用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏*-源*间所加VDS的电场,源*区域的某些电子被漏*拉去,即从漏*向源*有电流ID流动。从门*向漏*扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
P-DIT/塑料双列直插
SI2301
N-FET硅N沟道
MOS-HBM/半桥组件
博明
N沟道
结型(JFET)
耗尽型