IRF7456PBF - 场效应管 MOS N 逻辑电平 SO-8

只供*原装，常销：IR,ON,ATMEL,TI,NXP,

• 场效应管 MOSFET N 逻辑电平 SO-8
• 晶体管*性:ñ频道
• 电流, Id 连续:16A
• 电压, Vds *大:20V
• 在电阻RDS（上）:6.5mohm
• 电压 @ Rds测量:10V
• 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
• 功耗, Pd:2.5W
• 封装类型:SOIC
• 针脚数:8
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
• SMD标号:F7456
• 功率, Pd:2.5W
• 功耗:2.5W
• 外宽:4.05mm
• 外部深度:5.2mm
• 外*度/高度:1.75mm
• 封装类型:SOIC
• 漏*电流, Id *大值:16A
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
• 电压, Vds:20V
• 电压, Vds 典型值:20V
• 电压, Vgs *高:2V
• 电流, Idm 脉冲:130A
• 结温, Tj :-55°C
• 阈值电压, Vgs th *高:2V