IR-功率场效应管 IRF830 IRF830N IRF830PBF NPN 500V 4.5A

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产品属性
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IRF830信息资料：

IRF830，采用TO-220AB封装方式。
晶体管*性: N沟道
电压, Vds*大: 500V
开态电阻, Rds(on): 1.4ohm
功耗: 74W
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
功率, Pd: 74W
封装类型: TO-220AB
晶体管数: 1
晶体管类型: MOSFET
温度@电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
热阻,结至外壳A: 1.7°C/W
电压Vgs @ Rds on测量: 10V
电压, Vds典型值: 500V
电流, Id连续: 5A
电流, Idm脉冲: 20A
表面安装器件: 通孔安装
阈值电压, Vgs th典型值: 4.5V
阈值电压, Vgs th*高: 4V

材料

GE-N-FET锗N沟道

种类

结型(JFET)

封装形式

直插型

集电*允许电流ICM

4.5A

型号/规格

IRF830 IRF840 IRF820 IRF740 IRF730 IRF640 IRF630 IRF530 IRF540

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插