供应福斯特FIR10N80F,高压高电流场效应管,欢迎来电

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  福斯特FIR10N80F规格:

  种类:绝缘栅(MOSFET)

  沟道类型:N沟道

  导电方式:增强型

  材料:N-FET硅N沟道

  封装外形:P-DIT/塑料双列直插

  用途:CHOP/斩波、限幅

  开启电压:800(V)

  夹断电压:800(V)

  跨导:10(μS)

  极间电容:10(pF)

  低频噪声系数:1(dB)

  场效应管主要作用

  1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。

  2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

  3.场效应管可以用作可变电阻。

  4.场效应管可以方便地用作恒流源。

  5.场效应管可以用作电子开关。

  凌云国际股份有限公司代理分销的美国福斯特半导体(FIRST SEMICONDUCTOR),美国安森美半导体(ON SEMICONDUCTOR)等国际知名品牌,产品为二极管、三极管、晶体管,场效应管、肖特基、快恢复,可控跬,IGBT,整流器,集成电路等。应用领域涵盖消费类电子、电脑及周边、通讯、电信、工控、安防、电源、医疗设备及军工产品等等。凭借着公司十年来的不懈努力,年销售额不断突破,获得 ON Semiconductor颁发的「最佳分销商大奖」,备受赞誉,并成为美国福斯特半导体(FIRST SEMICONDUCTOR)在国内最大的代理商之一。

 

 

 

凌云国际股份有限公司十余年一直保持着最佳的行业质量标准,将是你最好的选择!

 

 

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型号/规格

FIR10N80F

品牌/商标

福斯特

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

盒带编带包装

功率特征

大功率