供应福斯特高性能MOSFET FIR14N50F，500V N-MOSFET

　　福斯特FIR14N50F规格：

　　种类：绝缘栅（MOSFET）

　　沟道类型：N沟道

　　导电方式：耗尽型

　　材料：N-FET硅N沟道

　　封装外形：P-DIT/塑料双列直插

　　用途：D-G双栅四极

　　开启电压：500（V）

　　夹断电压：500（V）

　　跨导：510（μS）

　　极间电容：1（pF）

　　最大漏极电流：1（mA）

　　最大耗散功率：10（mW）

　　扬效应管主要参数

　　●直流参数

　　饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。   夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS.

　　开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS.

　　●交流参数

　　低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。   极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。

　　●极限参数

　　漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS.

　　栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。