先科二*管DB3

工作原理：二*管、晶体二*管为一个P型和N型半导体半导体PN结的形成及其形成两边的界面空间电荷层，并建自建电场。当外加电压不存在，是由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电流所造成的，同时漂移，并在平衡状态。当外面的世界有着积*的偏压，外电场与电场的相互自我抑制的作用，在消除承运人增加，从目前的扩散正向电流。当外面世界的反向偏压，外电场和电场，以进一步加强自身建设，在某种形式的反向电压和反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0 。当反向电压应用到*程度， PN结的空间电荷层的临界电场强度值承运人乘法过程中，大量的电子空穴对，有相当部分的数值反向击穿电流，击穿现象被称为二*管。 该类型的二*管 有许多类型的二*管，根据半导体材料的使用，可分为锗二*管（葛管）和硅二*管（硅管） 。根据其不同用途，可分为探测器二*管，整流二*管，二*管调节器，开关二*管，隔离二*管，肖特基二*管，发光二*管等。根据该*结构，可分为点接触二*管，接触式平面二*管和二*管。二*管是一个联络点，与一个很小的金属丝压在清洁表面上的半导体芯片，一个脉冲电流，导线接触到年底晶片牢固烧结在一起，形成一个" PN结" 。点接触，只允许通过较小的电流（不*过几十毫安） ，适用于小型高频率电流电路，如无线电探测器。接触二*管的" PN结"面积较大，允许更大的电流（几的数十个） ，它可以用来变换交流电源到直流"整治"电路。平面二*管是一个*设计的硅二*管，它不*可以通过更大的电流，而且性能稳定*，以及更多交换机，以及高频率脉冲电路。