图文详情
产品属性
相关推荐
本公司坚持品质为优,顾客为上的宗旨!
*,质量*,量大从优!单价请详谈!
欢迎新老客户来电垂谈!
:林
手机:
各种常见的MOSFET技术
●双栅*MOSFET
双栅*(dual-gate)MOSFET通常用在射频(Radio Frequency, RF)积体电路中,这种MOSFET的两个栅*都可以控制电流大小。在射频电路的应用上,双栅*MOSFET的第二个栅*大多数用来做增益、混频器或是频率转换的控制。
●空乏式MOSFET
一般而言,空乏式(depletion mode)MOSFET比前述的加强式(enhancement mode)MOSFET*。空乏式MOSFET在制造过程中改变掺杂到通道的杂质浓度,使得这种MOSFET的栅*就算没有加电压,通道仍然存在。如果想要关闭通道,则*须在栅*施加负电压。空乏式MOSFET*大的应用是在"常关型"(normally-off)的开关,而相对的,加强式MOSFET则用在"常开型"(normally-on)的开关上。
●NMOS逻辑
同样驱动能力的NMOS通常比PMOS所占用的面积小,因此如果只在逻辑门的设计上使用NMOS的话也能缩小芯片面积。不过NMOS逻辑虽然占的面积小,却无法像CMOS逻辑一样做到不消耗静态功率,因此在1980年代中期后已经渐渐退出市场。
●功率MOSFET
功率晶体管单元的截面图。通常一个市售的功率晶体管都包含了数千个这样的单元。主条目:功率晶体管
功率MOSFET和前述的MOSFET元件在结构上就有着显着的差异。一般积体电路里的MOSFET都是平面式(planar)的结构,晶体管内的各端点都离芯片表面只有几个微米的距离。而*的功率元件都是垂直式(vertical)的结构,让元件可以同时承受高电压与高电流的工作环境。一个功率MOSFET能耐受的电压是杂质掺杂浓度与n-t*e磊晶层(epitaxial layer)厚度的函数,而能通过的电流则和元件的通道宽度有关,通道越宽则能容纳越多电流。对于一个平面结构的MOSFET而言,能承受的电流以及崩溃电压的多寡都和其通道的长宽大小有关。对垂直结构的MOSFET来说,元件的面积和其能容纳的电流成大约成正比,磊晶层厚度则和其崩溃电压成正比。 值得一提的是采用平面式结构的功率MOSFET也并非不存在,这类元件主要用在高级的音响放大器中。平面式的功率MOSFET在饱和区的特性比垂直结构的对手更好。垂直式功率MOSFET则多半用来做开关切换之用,取其导通电阻(turn-on resistance)*小的优点。
● DMOS
DMOS是双重扩散MOSFET(double-Diffused MOSFET)的缩写,它主要用于高压,属于高压MOS管范畴。
600V
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
2N60 FIR2N60ALG
P-DIT/塑料双列直插
2A
FIRST
DC/直流
N沟道
增强型
属性值