单*、双*GMR*磁传感器 （替代霍尔传感器）

产品特点        

• 每片集成一组或两组的自旋阀*磁电阻（GMR）惠斯通电桥
• 模拟正电压（半桥）或差分电压（全桥）输出
• 测量范围：&plu*n;0.3mT～&plu*n;4.3mT
• 灵敏度：3mV/V·mT～40mV/V·mT
• 供电电压：DC1V～DC20V
• 频率响应：0～1MHz
• 非线性度：0.4%～2%
• 温度稳定性：≤20 ppm/℃
• 工作温度范围：-40℃～85℃（*类），-55℃～125℃（第二类）
• SOP8表面贴装封装

应用领域

• 磁头
• 接近开关
• 角度传感器、转速传感器、位移传感器
• 电流检测
• 磁电编码器
• 电子罗盘
• 特种弱磁检测领域

产品描述

自旋阀*磁电阻（GMR）传感器芯片VA系列是用于检测磁场的惠斯通电桥结构。当向电桥供电后,在敏感轴方向加入磁场强度会引起电桥电阻元件的变化，导致电桥输出端的电压产生相应的变化，即传感器的输出电压变化量与外加磁场强度成正比。VA系列*磁电阻（GMR）传感器芯片采用一组或两组的GMR惠斯通电桥结构，将磁场转化成模拟正电压（半桥）或差分电压（全桥）输出，具有宽的测量范围、高灵敏度、低磁滞、低温漂和优良的线性度，可以测量&plu*n;0.3mT～&plu*n;4.3mT的磁场，采用*小型尺寸封装。产品可广泛应用于智能电网、智能交通、汽车电子、工业控制、*设备、消费电子等领域。

产品参数说明

——高灵敏度系列