IGBT缓冲吸收电容器

地区:河南 鹤壁
认证:

鹤壁华信电子有限公司(国营第七九四厂)

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IGBT缓冲吸收电容器

特点:

广泛应用于高压高频脉冲电路中;损耗小,热效应好,质量*;*适合用于IGBT缓冲吸收。

技术指标

指标项目

技术指标

外形图

执行标准:

IEC 60171:2007

 

气候类别:

40/85/56

工作温度范围

-40~ 85

额定电压范围

630Vdc~3000Vdc

电容量范围

0.47μF~9.0μF

电容量偏差等级

J(&plu*n;5%)、K(&plu*n;10%

损耗角正切值

5×10-4

耐电压

1.5UR10s

*缘电阻

CR0.33μF

100000MΩ

CR0.33μF

30000s

品牌/商标

国产

型号/规格

CBBI

介质材料

*薄膜

应用范围

滤波

外形

方块状

功率特性

*率

频率特性

高频

调节方式

固定

引线类型

同向引出线

允许偏差

&plu*n;5(%)

耐压值

3000(V)

标称容量

0.01-10(uF)

损耗

0.001

额定电压

1000-10000(V)