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KP500B(*替代RE200B,D203S)特性型号T*eKP500B封装EncapsulationTO-5灵敏元面积ElementSize/T*e2.0mm×1.1mm×Gap0.9mmDual,双元基片材料WindowMaterial硅Si基片厚度WindowThickness0.5mm窗口尺寸WindowSize4×3mm工作波长P*Band5-14μm平均透过率Tran*ittance>75%输出信号Signal[Vp-p]>2.2V(420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz带宽72.5db增益)灵敏度Sensitivity3300V/W探测率(D*)Detectivity1.5×108cmHz1/2/W噪声Noise(Vp-p)<200mV(mVp-p)(25℃)平衡度Balance<20%工作电压OperatingVoltage2.2-15V工作电流OperatingCurrent8.5-24μA(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)源*电压SourceVoltage0.4-1.1V(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)工作温度OperatingTemperature-20℃- 70℃保存温度StorageTemperature-35℃- 80℃
尼赛拉/KP500B
否
红外传感器
混合物
1
1
半导体
单晶
集成
模拟型
1(%F.S.)
1(%F.S.)
1(%F.S.)
1
1