台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-G4545V-A3 (45mil绿光）

 1. Scope:
This specification applies to InGaN/GaN 45 x 45mil green LED chip, EP-G4545V-A3。

2. Materials：
2.1 P-contact：Conductive Layer。
2.2 P-pad：Au。
2.3 N-pad：Au。
2.4 Backside Metal: Al
EP-G4545V -A3：Reflective Layer (Al) with Au

3. Dimensions：
3.1 Chip size：1140&plu*n;30μm x 1140&plu*n;30um。
3.2 P-pad： 100&plu*n;10μm, thickness 2&plu*n;0.2μm。
3.3 N-pad： 100&plu*n;10μm, thickness 2&plu*n;0.2μm。
3.4 Chip thickness：150μm&plu*n;10μm。

4. Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C)