台湾光宏 大功率 LED 芯片 EP-G3838B-A3_38mil绿光

1. Scope:
This specification applies to InGaN/GaN 38 x 38mil green LED chip, EP-G3838B-A3。

2. Materials：
2.1 P-contact：Conductive Layer。
2.2 P-pad：Au。
2.3 N-pad：Au。
2.4 Backside Metal: Al
EP-G3838B -A3：Reflective Layer (Al) with Au

3. Dimensions：
3.1 Chip size：965&plu*n;30μm x 965&plu*n;30μm。
3.2 P-pad： 100&plu*n;10μm, thickness 2&plu*n;0.2μm。
3.3 N-pad： 100&plu*n;10μm, thickness 2&plu*n;0.2μm。
3.4 Chip thickness：150μm&plu*n;10μm。

4. Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C)