IRF830PBF场效应管

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产品属性
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IRF830PBF特点

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.5 欧姆 @ 2.7A, 10V
漏*至源*电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C：4.5A

Id 时的 Vgs(th)（*大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：610pF @ 25V
功率 - *大：74W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：*
其它名称：*IRF830PBF

品牌/商标

IRF/VISHAY

型号/规格

IRF830PBF

种类

结型(JFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

用途

DUAL/配对管