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产品属性
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参数
配置 (半桥)
输入类型 (非反相)
延迟时间 (220ns)
电流 - 峰值 (60mA)
配置数 (1)
输出数 (2)
高压侧电压 - *大值(自举) (600V)
电压 - 电源 (10 V ~ 20 V)
工作温度 (-40°C ~ 125°C)
特点
浮动通道设计为引导操作
*运作,以 600 V
耐负瞬态电压
dV / dt的免疫
从5至20V的栅*驱动电压范围
两个通道欠压锁定
3.3V,5V和15V输入逻辑兼容
跨导*逻辑
两个通道的匹配传播延迟
相高侧输出和IN输入
逻辑与电源地 / - 5V的偏移量。
内部540ns*区时间
为更好的噪声下的di / dt栅*驱动器
免疫
关闭输入关闭两个通道
8引脚SOIC也可用LEAD-FREE(PBF)。
描述
IR2302(S)高电压,*
功率MOSFET和IGBT驱动器与依赖
凹痕高和低侧参考输出
渠道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片结构。
逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器
具有高脉冲电流缓冲级,可将驱动器跨导降至。浮动通道可
可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营
600伏。
封装图片展示
N-FET硅N沟道
结型(JFET)
IR2304STRPBF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
SW-REG/开关电源
N沟道
增强型
10 V ~ 20 V
60mA
600V