大中 Sinopower SM4912TSKC-TRG

地区:江苏 苏州
认证:

苏州康宇电子有限公司

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Channel 1
30V/9A,
RDS(ON) = 27mW (max.) @ VGS = 10V
RDS(ON) = 33mW (max.) @ VGS = 4.5V
· Channel 2
30V/12A,
RDS(ON) = 14mW (max.) @ VGS =10V
RDS(ON) = 20mW (max.) @ VGS =4.5V
· Super High Dense Cell Design
· Reliable and Rugged
· Lead Free Available (RoHS Compliant)

Applications
· Power Management in Notebook Computer,
Portable Equipment and Battery Powered
Systems

封装外形

CHIP/小型片状

型号/规格

SM4912TSKC-TRG

材料

GE-N-FET锗N沟道

用途

MOS-HBM/半桥组件

品牌/商标

Sinopower

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型

属性

属性值