场效应管 2SK3515-01MR,K3515,2SK3515

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2SK3515-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,450V,8A

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450V场效应管(MOSFET)
02N45 NIKO TO-220 DIP/MOS N场 450V 2A 0Ω
2SK1101-01MR FUJ TO-220F DIP/MOS N场 450V 10A 0.65Ω
2SK1606 panasonic TO-220F DIP/MOS N场 450V 8A 0.75Ω
2SK2363 NEC TO-220F DIP/MOS N场 450V 8A 0.5Ω
2SK2424 HIT TO-220F DIP/MOS N场 450V 8A 0.55Ω
2SK2638-01MR FUJ TO-220F DIP/MOS N场 450V 10A 0.65Ω
2SK3126 TOSHIBA TO-220F DIP/MOS N场 450V 10A 0.65Ω
2SK3407 TOSHIBA TO-220F DIP/MOS N场 450V 10A 0.65Ω
2SK3757 TOSHIBA TO-220F DIP/MOS N场 450V 2A 2.45Ω
FK10KM-9 三凌/MITSUBISHI TO-220F DIP/MOS N场 450V 10A 0.92Ω
FK14KM-9 三凌/MITSUBISHI TO-220F DIP/MOS N场 450V 14A 0.65Ω
FS10KM-9 三凌/MITSUBISHI TO-220F DIP/MOS N场 450V 10A 0.73Ω
FS14KM-9 三凌/MITSUBISHI TO-220F DIP/MOS N场 450V 14A 0.52Ω
IRFI744G IR TO-220F DIP/MOS N场 450V 4.9A 0.63Ω
2SK3403 TOSHIBA TO-262 DIP/MOS N场 450V 13A 0.4Ω
2SK2756-01R FUJ TO-*F DIP/MOS N场 450V 18A 0.45Ω
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品牌/商标

FUJI/富士通

型号/规格

2SK3515-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,450V,8A

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

-(V)

夹断电压

-(V)

*间电容

-(pF)

漏*电流

-(mA)

耗散功率

-(mW)