N沟道MOS场效应管2SK3053 高输入阻*
地区:广东 深圳
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无
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产品属性
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该2SK3503是一个N沟道MOS场效应管的垂直。因为它可以驱动电压*1.5V的低,这是没有*要考虑
驱动器的电流,这种场效应管作为一个低电流便携式驱动器的理想选择系统,如耳机音响和摄像机。
特点
•自动安装支持
•门可以由一个1.5V电源
•由于其高输入阻*,有没有*要考虑驱动电流
•由于偏置电阻可以省略,数组件所需的可减少
Marking: E1
*限参数(TA= 25℃)
漏*至源*电压(VGS=0V)VDSS16 V
门至源*电压(VDS=0V)VGSS&plu*n;7.0 V
漏电流(DC)(TC= 25° C)ID(DC)&plu*n;0.1 A
漏电流(脉冲)注ID(脉冲)&plu*n;0.4 A
总功率耗散(TC= 25° C)注2PT200毫瓦
TCH信道温度150° C
存储温度Tstg-55至 150° C
NEC/日本电气
2SK3503
结型(JFET)
N沟道
增强型
AM/调幅
7(V)
16(V)
1(μS)
10(pF)
*(dB)
10(mA)
200(mW)