厂家***R1060C系列肖特基管,量大从优

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肖特基Schottky)二*管也称肖特基势垒二*管(简称*D),是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二*管,其主要特点是正向导通压降小(约0.45V),反向恢复时间短和开关损耗小,是一种低功耗、*速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二*管、续流二*管、保护二*管使用,或在微波通信等电路中作整流二*管、小信号检波二*管使用。肖特基二*管在结构原理上与PN结二*管有很大区别,它的内部是由阳*金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(砷材料)、N型硅基片、N 阴*层及阴*金属等构成,如图所示。在N型基片和阳*金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳*金属接电源正*,N型基片接电源负*)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。

品牌/型号

MIC/*R1060C

是否提供加工定制

产品类型

肖特基管

是否*

主要参数

VR,VF,IR,IFSM,CJ

用途

广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二*管、续流二*管、保护二*管使用,或在微波通信等电路中作整流二*管、小信号检波二*管使用。

备注

主要特点是正向导通压降小(约0.45V),反向恢复时间短和开关损耗小,是一种低功耗、*速半导体器件,

材料

硅Si