优质供应英飞凌ICL8001G

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市汇能伟业科技有限公司

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Electrical Characteristics
Version 1.0 14 May 6, 2010
4.3.9Gate Drive
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Test Condition
min.
t*.
max.
Output voltage at logic low
VGATElow
-
1.0
V
VVCC=18V
IOUT = 10mA
Output voltage at logic high
VGATEhigh
9.0
10.0
V
VVCC=18V
IOUT = -10mA
Output voltage active shut down
VGATEasd
1.0
V
V
VVCC = 7V
IOUT = 10mA
Rise Time
trise
-
117
-
ns
COUT = 1.0nF
VGATE= 2V ... 8V
Fall Time
tfall
-
27
-
ns
COUT = 1.0nF
VGATE= 8V ... 2V

封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

ICL8001G

材料

GE-N-FET锗N沟道

用途

TR/激励、驱动

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

沟道类型

N沟道

种类

结型(JFET)

导电方式

增强型

属性

属性值