MOS管三*管场效应IRG4RC10KPBF IRG4PH50K IRG4RC10KDTRPBF

数据列表 IRG4RC10KPbF

产品相片 TO-252-2

产品目录绘图 IRG Series Circuit
IR Transistor DPAK

标准包装 75
类别分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -

电压 - 集电*发射*击穿（*大） 600V

Vge, Ic时的*大Vce（开） 2.62V @ 15V, 5A

电流 - 集电* (Ic)（*大） 9A

功率 - *大 38W

输入类型标准型

安装类型表面贴装

封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线接片), SC-63

供应商设备封装 D-Pak

包装管件

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRG4RC10K

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

开启电压

*（V）

夹断电压

*（V）

跨导

*（μS）

*间电容

*（pF）

低频噪声系数

*（dB）

漏*电流

*（mA）

耗散功率

*（mW）

MOS管 三*管 场效应IRG4RC10KPBF IRG4PH50K IRG4RC10KDTRPBF

MOS管三*管场效应IRG4RC10KPBF IRG4PH50K IRG4RC10KDTRPBF