原厂供应*结MOS管 场效应管NCE05N65 650V/4.8A

地区:江苏 无锡
认证:

结型场效应管 无锡新洁能功率半导体有限公司

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  产品特征:卓越的功率转换效率 

  *低的导通功率损耗源于*低的特征导通电阻(Ron*A 

  *低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于*低的FOMRon*Qg)

  卓越的Eas能力(100?s测试) 

 

 产品应用:电脑、服务器的电源——更低的功率损耗

 适配器(笔记本电脑,打印机等)——更轻、更薄

 照明(HID灯,工业照明,道路照明等)更高的功率转换功率

 消费类电子产品(液晶电视,等离子电视等)——更轻、更薄、更*效

 Vds=650V;Id=4.8A ; RDS(ON)<950mΩ @Vgs=10V  (T*:850mΩ)

 注:@在…的条件下    

 封装:NCE05N65F为TO-220F NCE05N65D为TO-263 NCE05N65为TO-220































 

品牌/商标

NCE

型号/规格

NCE05N65/D/F

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2.5-3.5(V)

夹断电压

大于650(V)

*间电容

480(pF)