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MTD6N20ET4 功率MOSFET6安培，200伏特

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市福田区时代超想电子商行

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制造商:ON Semiconductor 
产品种类:MOSFET 
 
晶体管*性:N-Channel 
汲*/源*击穿电压:200 V 
闸/源击穿电压: /- 20 V 
漏*连续电流:6 A 
电阻汲*/源* RDS（导通）:700 mOhms 
配置:Single 
*大工作温度: 150 C 
安装风格:SMD/SMT 
封装 / 箱体:DPAK 
封装:Reel 
下降时间:20 ns 
正向跨导 gFS（*大值/*小值）:1.5 S 
*小工作温度:- 55 C 
功率耗散:50000 mW 
上升时间:29 ns 
工厂包装数量:2500 
典型关闭延迟时间:22 ns
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品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

MTD6N20ET4

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

GE-N-FET锗N沟道