东芝代理 原装现货 TK10A60D

地区:上海
认证:

结型场效应管 上海琼创电子科技有限公司

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属性条件
部件型号TK10A60D 
*性N沟 
漏源电压VDSS600 V 
漏电流ID10 A 
漏功耗PD45 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)25 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V0.75 Ω 
封装TO-220SIS 
管脚数3 
表面安装型N 
产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 
装配基础China, Malaysia, Japan 
RoHS Compatible Product(s) (#)Available 

 

 
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

TK10A60D

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

HA/行输出级

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GaAS-FET砷化镓

开启电压

4(V)

夹断电压

20(V)

跨导

0.1(μS)

*间电容

0.1(pF)

低频噪声系数

0.1(dB)

漏*电流

0.1(mA)

耗散功率

0.1(mW)