供应QM100DY-HB三菱模块

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IGBT概述：

电力电子器件的发展经历了晶闸管(SCR)、可关断晶闸管(GTO)、晶体管(BJT)、绝缘栅晶体管(IGBT)等阶段。目前正向着大容量、高频率、易驱动、低损耗、模块化、复合化方向发展，与其他电力电子器件相比，IGBT具有高可靠性、驱动简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点，为了达到这些高性能，采用了许多用于集成电路的工艺技术，如外延技术、离子注入、精细光刻等。要提高功率MOSFET的耐压能力，势必增加高导通电阻，从而妨碍器件在高电压、大电流范围的应用。针对这些缺陷，20世纪80年代诞生了功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)器件，20世纪90年代初进入实用化。近几年来，功率IGBT的性能提高很快，额定电流已达数百安培，耐压达1500V以上，而且还在不断提高。由于IGBT器件具有PIN二极管的正向特性，P沟功率IGBT的特性不比N沟IGBT差多少，这非常有利于在应用中采取互补结构，从而扩大其在交流和数字控制技术领域中的应用。

　　目前，应用在中压大功率领域的电力电子器件，已形成GTO、IGCT、IGBT、IEGT相互竞争不断创新的技术市场，在大功率(1MW)，低频率(1kHz)的传动领域，如电力牵引机车领域GTO、IGCT有着独特的优势，而在高载波频率、高斩波频率下,IGBT、IEGT有着广阔的发展前景，在现阶段中压大功率变频领域将由这4种电力电子器件构成其主流器件。

相似型号：

QM30DY-H（HB） 30A/600V/2U  QM20DX-H 20A/600V/2U 
QM50DY-H（HB） 50A/600V/2U  QM30DX-H 30A/600V/2U 
QM75D1X-H 75A/600V/2U  QM50DX-H 50A/600V/2U 
QM75DY-H（HB） 75A/600V/2U  QM75DX-H 75A/600V/2U 
QM100DY-H（HB） 100A/600V/2U  QM100DQ-H 100A/600V/2U 
QM150DY-H（HB） 150A/600V/2U  QM100DX-H 100A/600V/2U 
QM200DY-H（HB） 200A/600V/2U  QM120DX-H 120A/600V/2U 
QM300DY-H（HB） 300/600V/2U  QM150DX-H 150A/600V/2U