供应热卖英飞凌模块FF300R12KT3

制造商Infineon

产品种类IGBT 模块

RoHS否

产品IGBT Silicon Modules

配置Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V

Continuous Collector Current at 25 C480 A

最大工作温度+ 125 C

封装 / 箱体62MM

栅极/发射极最大电压+/- 20 V

最小工作温度- 40 C

安装风格Screw

 根据最大工作频率选择合适的IGBT:  


开关频率是用户选择适合的IGBT时需考虑的一个重要的参数，所有的硅片制造商都为不同的开关频率专门制造了不同的产品。  
特别是在电流流通并主要与VCE(sat)相关时，把导通损耗定义成功率损耗是可行的。  

这三者之间的表达式：Pcond   =   VCE   IC   ，其中，   是负载系数。  
开关损耗与IGBT的换向有关系；但是，主要与工作时的总能量消耗Ets相关，并与终端设备的频率的关系更加紧密。  
Psw   =   Ets  
总损耗是两部分损耗之和：  
Ptot   =   Pcond   +   Psw  
在这一点上，总功耗显然与Ets   和   VCE(sat)两个主要参数有内在的联系。  
这些变量之间适度的平衡关系，与IGBT技术密切相关，并为客户最大限度降低终端设备的综合散热提供了选择的机会。  
因此，为最大限度地降低功耗，根据终端设备的频率，以及与特殊应用有内在联系的电平特性，用户应选择不同的器件。