东芝代理供应原装2SK3126

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结型场效应管 上海嘉豪电子有限公司

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型号: 2SK3126   EOL announced产品分类名: 晶体管/功率MOSFET/Nch 250V<VDSS≦500V
  
部件型号2SK3126 
*性N沟 
漏源电压VDSS450 V 
漏电流ID10 A 
漏功耗PD40 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)35 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V0.65 Ω 
封装TO-220NIS 
管脚数3 
表面安装型N 
产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V)
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

2SK3126

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MW/微波

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

5(V)

夹断电压

8(V)

跨导

1(μS)

*间电容

6(pF)

低频噪声系数

5(dB)

漏*电流

3(mA)

耗散功率

8(mW)