AP28G45GEO优势供应
地区:广东 深圳
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无
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产品属性
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AP20GT60P | TO-220(P) |
| 600 | 20 | 60 | 20 | 104 | 1.2 |
| 62.5 | 1.8 | 6 |
AP20GT60W | TO-*(W) |
| 600 | 20 | 40 | 20 | 125 |
|
| 40 | 1.8 | 6 |
AP20GT60SW | TO-*(W) |
| 600 | 20 | 40 | 20 | 125 | 1 | 1.5 | 40 | 2.3 | 6 |
AP28G40GEO | TSSOP-8(O) | With *D Diode | 400 | 6 | 150 |
| 1 |
|
| 125 | 5.2 | 1.2 |
AP28G45GEO | TSSOP-8(O) | With *D Diode | 400 | 6 | 150 |
| 1 |
|
| 125 | 5.2 | 1.2 |
APEC/富鼎
AP28G45GEO
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
CHIP/小型片状
GaAS-FET砷化镓