供应场效应NTD20N06
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ON/*童/NXP
NTD20N06
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
30(V)
45(μS)
45(pF)
45(dB)
45(mA)
45(mW)