供应场效应PHD20N06
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ON/*童/NXP
PHD20N06
结型(JFET)
N沟道
增强型
NF/音频(低频)
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
30(V)
30(V)
4(μS)
54(pF)
5(dB)
45(mA)
45(mW)