供应场效应IRFIB7N50
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"IR/国际整流器
IRFIB7N50
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-INM/*组件
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
30(V)
30(V)
45(μS)
45(pF)
45(dB)
45(mA)
45(mW)