场效应管HX1N60 TO-251 TO-252

现货长期供应*场效应管场效应管HX1N60  TO-251 TO-252,质量*.*有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电

HX1N60 TO-251/TO-252   N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

∗ 1A，600V，RDS(on)=11.5Ω@VGS=10V
∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快

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