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产品属性
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20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N-沟道增强型 MOS
VDS= 20V
RDS(ON),,= 38m?
RDS(ON),,Ids@5A= 28m?
Features 特性
Advanced trench process technology 高级的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance *低的导通电阻高密度的单元设计
High Power and Current handing capability 大功率、大电流
Ideal for Li ion battery pack applications 理想的锂电池应用
*的电子元器件供应商
原装正品,常备现货,量大从优!
公司坚持以“质量*、价格优惠”的经营理念向客户所提供*的优质服务,已*了广大客户的信赖和支持。
胡先生: :
地址:深圳福田区华强北华强三期(佳和大厦)4C050室
本公司主营系列低压MOS管及IC
2300 2301 2302 2305 2306 2307 2312 3400 3401 3407
4953 9435 4410 4435 4407 9926 4501 4503 4606 4946
45N03 85N03 DW01 8205A 8205S
KP1500-ADJ KP1504-ADJ KP1510-ADJ KP1512-ADJ
型号繁多,未能尽录。更多的产品欢迎来电垂询!
公司网址:http://www.szkuoying.com
"FORTUNE/台湾富晶
FS8205S
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
标准
标准
6000