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现货**童FQD6N25TF

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司

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FSC *童*代理

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:MOSFETs 
RoHS:RoHS Compliant Details 
Product:General Purpose MOSFETs 
Configuration:Single 
Package / Case:DPAK 
Transistor Polarity:N-Channel 
Drain-Source Breakdown Voltage:250 V 
Continuous Drain Current:4.4 A 
Power Dissipation:2500 mW 
Forward Transconductance gFS (Max / Min):2.3 S 
Resistance Drain-Source RDS (on):1 Ohm @ 10 V 
T*ical Fall Time:30 ns 
T*ical Rise Time:65 ns 
T*ical Turn-Off Delay Time:7.5 ns 
Packaging:REEL 
Gate-Source Breakdown Voltage: /- 30 V 
Maximum Operating Temperature:150 C 
Minimum Operating Temperature:- 55 C 
T*e:MOSFET
"
品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FQD6N25TF

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MW/微波

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

SIT静电感应

开启电压

1（V）

夹断电压

1（V）

低频跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

1（mA）

耗散功率

1（mW）