现货**童KA1M0880BTU

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司

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*童 MOS IGBT 场效应管

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
RoHS:No 
Product:Power Switches 
Package / Case:TO-* 
Maximum Power Dissipation:190000 mW 
Maximum Operating Temperature:85 C 
Minimum Operating Temperature:- 25 C 
Packaging:Tube 
Mounting Style:Through Hole 
Output Current:8 A (Max)
品牌

FAIRCHILD/*童

型号

KA1M0880BTU

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)